BSP149L6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 655+ | 32.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP149L6327 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSP149L6327 за ціною від 33.47 грн до 40.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP149L6327 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6327 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MODtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSP149 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSP149 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 53751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BSP149L6327 |
BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
BSP149 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BSP149 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
товару немає в наявності |


