Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP149H6327XTSA1
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp149_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 23.94 грн до 116.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.72 грн
2000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.68 грн
2000+29.51 грн
3000+28.96 грн
5000+26.11 грн
7000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.97 грн
200+45.64 грн
500+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.03 грн
10+64.60 грн
27+34.40 грн
72+32.49 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.50 грн
13+64.79 грн
50+56.97 грн
200+45.64 грн
500+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
10+67.89 грн
100+45.88 грн
500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+108.73 грн
172+71.00 грн
200+67.59 грн
500+48.98 грн
1000+43.61 грн
2000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.64 грн
10+80.50 грн
27+41.28 грн
72+38.99 грн
1000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en-1226393.pdf MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.45 грн
10+77.23 грн
100+47.19 грн
500+41.32 грн
1000+35.45 грн
2000+32.22 грн
5000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.