Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 26.03 грн до 154.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
на замовлення 18997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.89 грн |
| 3000+ | 26.03 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 34.01 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 34.01 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.00 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.00 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.75 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 97.85 грн |
| 219+ | 65.18 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.36 грн |
| 10+ | 62.91 грн |
| 50+ | 46.93 грн |
| 100+ | 39.19 грн |
| 500+ | 30.66 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 106.60 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 106.60 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 118.21 грн |
| 10+ | 56.78 грн |
| 26+ | 37.14 грн |
| 70+ | 35.07 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 154.41 грн |
| 10+ | 97.85 грн |
| 100+ | 65.18 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 18997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| T12-K Жало для паяльних станцій Код товару: 214485
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Опис: Жало до паяльної станції YiHUA, ніж 6 мм
Тип жала: T12
Форма жала: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 мм
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Опис: Жало до паяльної станції YiHUA, ніж 6 мм
Тип жала: T12
Форма жала: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 мм
у наявності: 4 шт
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
- 100 шт - очікується 05.02.2027
- 100 шт - очікується 10.03.2027
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 145.00 грн |
| 10+ | 135.00 грн |









