Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
Код товару: 218518
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 28.16 грн до 110.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.34 грн
3000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.78 грн
281+50.28 грн
327+43.21 грн
432+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.38 грн
15+50.78 грн
25+50.28 грн
100+41.67 грн
250+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon info-tbsp149.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.37 грн
10+59.68 грн
50+46.30 грн
100+40.72 грн
200+35.21 грн
500+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+103.98 грн
173+81.81 грн
238+59.47 грн
500+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.82 грн
10+82.48 грн
100+59.96 грн
500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.35 грн
50+50.37 грн
100+42.12 грн
500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 39257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+33.34 грн
3000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 info-tbsp149.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 info-tbsp149.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 bsp149_rev2.1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+50.78 грн
281+50.28 грн
327+43.21 грн
432+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 bsp149_rev2.1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.38 грн
15+50.78 грн
25+50.28 грн
100+41.67 грн
250+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 info-tbsp149.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.37 грн
10+59.68 грн
50+46.30 грн
100+40.72 грн
200+35.21 грн
500+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 bsp149_rev2.1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+103.98 грн
173+81.81 грн
238+59.47 грн
500+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 bsp149_rev2.1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.82 грн
10+82.48 грн
100+59.96 грн
500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+67.35 грн
50+50.37 грн
100+42.12 грн
500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 Infineon_BSP149_DS_v02_01_en.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 39257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

T12-K Жало для паяльних станцій
Код товару: 214485
3 Додати до обраних Обраний товар
T12-K Жало для паяльних станційT12-K Жало для паяльних станційT12-K Жало для паяльних станцій
T12-K Жало для паяльних станційT12-K Жало для паяльних станційT12-K Жало для паяльних станцій
Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Опис: Жало до паяльної станції YiHUA, ніж 6 мм
Тип жала: T12
Форма жала: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 мм
у наявності: 10 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
  • 100 шт - очікується 05.02.2027
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+145.00 грн
10+135.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.