Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon
SKU: 467135158-1
Price: 680.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c

Код товару: 218518

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 31.66 грн до 146.85 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon

Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon

Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon

Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	59.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : INFINEON

INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	65.39 грн
200+	48.44 грн
500+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
168+	83.49 грн
169+	82.66 грн
237+	59.06 грн
250+	56.38 грн
500+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	98.26 грн
10+	59.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	108.74 грн
10+	66.14 грн
100+	44.06 грн
500+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	108.95 грн
10+	83.49 грн
25+	82.66 грн
100+	56.96 грн
250+	52.20 грн
500+	31.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	146.85 грн
10+	93.30 грн
50+	77.72 грн
200+	57.63 грн
500+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. в
кількість в упаковці: 1000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSP149H6327XTSA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

T12-K Наконечник для паяльных станций
Код товару: 214485

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Опис: Жало до паяльної станції YiHUA. Ніж 6мм
Тип жала: T12
Форма жала: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 mm

у наявності: 2 шт

1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків

очікується: 200 шт

200 шт - очікується 07.08.2026

Кількість	Ціна
1+	145.00 грн
10+	135.00 грн

В кошику од. на суму грн.