Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 25.75 грн до 115.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon |
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon |
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon |
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
на замовлення 5265 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 32.06 грн |
| 3000+ | 27.02 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149
на замовлення 500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 34.91 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 34.91 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.80 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.80 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 55.52 грн |
| 16+ | 50.25 грн |
| 25+ | 49.75 грн |
| 100+ | 41.51 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; TBSP149
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 62.36 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.68 грн |
| 10+ | 65.34 грн |
| 50+ | 48.71 грн |
| 100+ | 40.67 грн |
| 500+ | 31.82 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 109.02 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 109.02 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.61 грн |
| 10+ | 53.44 грн |
| 100+ | 41.37 грн |
| 500+ | 32.36 грн |
| 1000+ | 29.43 грн |
| 2000+ | 25.75 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| T12-K Жало для паяльних станцій Код товару: 214485
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Опис: Жало до паяльної станції YiHUA, ніж 6 мм
Тип жала: T12
Форма жала: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 мм
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Опис: Жало до паяльної станції YiHUA, ніж 6 мм
Тип жала: T12
Форма жала: Ніж
Розмір кінчика жала: 6 мм
товару немає в наявності
очікується: 300 шт
- 100 шт - очікується 05.02.2027
- 100 шт - очікується 06.05.2027
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 145.00 грн |
| 10+ | 135.00 грн |








