Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP149H6906XTSA1
BSP149H6906XTSA1

BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies

bsp149_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+47.63 грн
2000+47.54 грн
3000+47.45 грн
4000+45.68 грн
5000+42.22 грн
10000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP149H6906XTSA1 за ціною від 36.99 грн до 81.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.61 грн
25+51.03 грн
100+48.64 грн
250+44.52 грн
500+42.24 грн
1000+41.73 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+70.14 грн
500+63.12 грн
1000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+70.14 грн
500+63.12 грн
1000+58.21 грн
10000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+70.14 грн
500+63.12 грн
1000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en-1226393.pdf MOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.34 грн
10+76.89 грн
100+44.47 грн
500+44.25 грн
1000+37.58 грн
25000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.