BSP170IATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.57 грн |
| 500+ | 19.79 грн |
| 1000+ | 15.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP170IATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP170IATMA1 за ціною від 7.88 грн до 59.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP170IATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP170IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP170IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSP170IATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP170IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSP170IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSP170IATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V |
товару немає в наявності |