Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP170IATMA1
BSP170IATMA1

BSP170IATMA1 Infineon Technologies

infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.26 грн
6000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP170IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSP170IATMA1 за ціною від 9.52 грн до 61.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
6000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
849+16.67 грн
947+14.94 грн
950+14.89 грн
1040+13.12 грн
1274+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.13 грн
46+16.67 грн
100+14.40 грн
250+13.29 грн
500+11.66 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.27 грн
36000+16.70 грн
54000+15.54 грн
72000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 INFINEON Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSP170I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.18 грн
10+33.72 грн
100+18.89 грн
500+14.45 грн
1000+12.97 грн
3000+11.07 грн
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 INFINEON Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.70 грн
23+36.84 грн
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 Infineon Technologies 448_BSP170I.pdf Description: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.06 грн
10+36.73 грн
100+23.64 грн
500+16.88 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf
BSP170IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.29 грн
6000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf
BSP170IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
849+16.67 грн
947+14.94 грн
950+14.89 грн
1040+13.12 грн
1274+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf
BSP170IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+18.13 грн
46+16.67 грн
100+14.40 грн
250+13.29 грн
500+11.66 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf
BSP170IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.27 грн
36000+16.70 грн
54000+15.54 грн
72000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e
BSP170IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Infineon_BSP170I_DataSheet_v02_00_EN.pdf
BSP170IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.18 грн
10+33.72 грн
100+18.89 грн
500+14.45 грн
1000+12.97 грн
3000+11.07 грн
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e
BSP170IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+59.70 грн
23+36.84 грн
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 448_BSP170I.pdf
BSP170IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.06 грн
10+36.73 грн
100+23.64 грн
500+16.88 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.