Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP170IATMA1
BSP170IATMA1

BSP170IATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSP170I_DataSheet_v02_00_EN-3596838.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.20 грн
12+30.55 грн
100+19.85 грн
500+15.54 грн
1000+12.00 грн
2500+11.02 грн
5000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP170IATMA1 Infineon Technologies

Description: BSP170IATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції BSP170IATMA1 за ціною від 11.84 грн до 52.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP170IATMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSP170I.pdf Description: BSP170IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSP170I.pdf Description: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.24 грн
11+31.21 грн
100+20.06 грн
500+14.33 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsp170idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.88A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.