Інші пропозиції BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4 за ціною від 16.58 грн до 86.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 |
на замовлення 12247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |