BSP170PH6327XTSA1

BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp170p_rev2.53.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP170PH6327XTSA1 за ціною від 17.91 грн до 84.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+25.36 грн
2000+ 21.75 грн
5000+ 20.61 грн
10000+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+27.26 грн
2000+ 26.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+29.8 грн
2000+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.67 грн
200+ 32.59 грн
500+ 27.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 16087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.72 грн
10+ 49.63 грн
100+ 34.35 грн
500+ 26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP170P_DS_v02_53_en-1731307.pdf MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 36035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.48 грн
10+ 45.88 грн
100+ 32.2 грн
500+ 28.06 грн
1000+ 23 грн
2000+ 21.95 грн
5000+ 21.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+70.04 грн
12+ 30.4 грн
25+ 24.71 грн
37+ 21.63 грн
102+ 20.47 грн
1000+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.33 грн
15+ 51.83 грн
50+ 37.67 грн
200+ 32.59 грн
500+ 27.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.04 грн
7+ 37.88 грн
25+ 29.66 грн
37+ 25.96 грн
102+ 24.56 грн
1000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+84.21 грн
155+ 75.31 грн
189+ 61.75 грн
201+ 55.92 грн
500+ 46.04 грн
1000+ 36.56 грн
Мінімальне замовлення: 139
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Код товару: 115573
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній