Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP170PH6327XTSA1
BSP170PH6327XTSA1

BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp170p_rev2.53.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP170PH6327XTSA1 за ціною від 16.27 грн до 95.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.98 грн
2000+20.12 грн
3000+19.67 грн
5000+17.75 грн
7000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.42 грн
2000+21.44 грн
3000+20.96 грн
5000+18.90 грн
7000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.14 грн
2000+21.23 грн
3000+20.20 грн
5000+17.87 грн
7000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.65 грн
2000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.62 грн
2000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.98 грн
200+38.32 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.15 грн
10+44.02 грн
50+32.37 грн
100+28.66 грн
200+25.44 грн
500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+79.25 грн
252+50.46 грн
260+48.94 грн
500+34.21 грн
1000+31.00 грн
2000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.05 грн
10+50.38 грн
100+33.08 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 717 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.38 грн
10+54.86 грн
50+38.85 грн
100+34.39 грн
200+30.52 грн
500+26.36 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP170P_DS_v02_53_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 11409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.91 грн
10+54.62 грн
100+32.19 грн
500+24.97 грн
1000+22.52 грн
2000+19.27 грн
5000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.17 грн
16+58.61 грн
50+49.98 грн
200+38.32 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Код товару: 115573
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.