Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP170PH6327XTSA1
BSP170PH6327XTSA1

BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp170p_rev2.53.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP170PH6327XTSA1 за ціною від 12.39 грн до 92.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.69 грн
15+57.80 грн
50+48.11 грн
200+35.60 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.33 грн
10+46.87 грн
43+20.79 грн
118+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Код товару: 115573
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.04 грн
2000+18.10 грн
3000+17.68 грн
5000+16.89 грн
7000+14.97 грн
10000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.74 грн
2000+19.57 грн
3000+19.13 грн
5000+18.25 грн
7000+16.19 грн
10000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.31 грн
2000+20.17 грн
3000+19.52 грн
5000+17.28 грн
7000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1137+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 1137
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.11 грн
200+35.60 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.57 грн
10+48.30 грн
100+31.92 грн
500+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+80.17 грн
226+53.88 грн
266+45.85 грн
500+34.90 грн
1000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP170P_DS_v02_53_en-1731307.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 24306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.89 грн
10+55.58 грн
100+31.71 грн
500+24.53 грн
1000+22.21 грн
2000+19.23 грн
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.80 грн
10+58.40 грн
43+24.94 грн
118+23.58 грн
2000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.