BSP171IATMA1 Infineon Technologies


infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+20.06 грн
42000+18.34 грн
63000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171IATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSP171IATMA1 за ціною від 10.60 грн до 65.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
687+20.61 грн
800+17.70 грн
808+17.52 грн
894+15.27 грн
1000+13.37 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 Infineon Technologies infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.45 грн
37+20.61 грн
100+17.07 грн
250+15.64 грн
500+13.57 грн
1000+12.83 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 INFINEON Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138 Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.66 грн
500+18.25 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSP171I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.37 грн
10+36.15 грн
100+20.30 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
3000+11.91 грн
6000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 INFINEON Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138 Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.39 грн
21+39.80 грн
100+25.66 грн
500+18.25 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 Infineon Technologies 448_BSP171I.pdf Description: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+39.32 грн
100+25.37 грн
500+18.17 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
687+20.61 грн
800+17.70 грн
808+17.52 грн
894+15.27 грн
1000+13.37 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+23.45 грн
37+20.61 грн
100+17.07 грн
250+15.64 грн
500+13.57 грн
1000+12.83 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.66 грн
500+18.25 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Infineon_BSP171I_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.37 грн
10+36.15 грн
100+20.30 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
3000+11.91 грн
6000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+64.39 грн
21+39.80 грн
100+25.66 грн
500+18.25 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 448_BSP171I.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.81 грн
10+39.32 грн
100+25.37 грн
500+18.17 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.