Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP171IATMA1
BSP171IATMA1

BSP171IATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSP171I_DataSheet_v02_00_EN-3596887.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.16 грн
11+33.50 грн
100+21.81 грн
500+17.13 грн
1000+13.28 грн
2500+12.00 грн
5000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171IATMA1 Infineon Technologies

Description: BSP171IATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції BSP171IATMA1 за ціною від 12.79 грн до 55.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP171IATMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSP171I.pdf Description: BSP171IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSP171I.pdf Description: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.51 грн
10+33.41 грн
100+21.54 грн
500+15.42 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsp171idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.