BSP171IATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.06 грн |
| 42000+ | 18.34 грн |
| 63000+ | 17.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP171IATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSP171IATMA1 за ціною від 10.60 грн до 65.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP171IATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171IATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171IATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171IATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171IATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171IATMA1 | Infineon Technologies |
Description: BSP171IATMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSP171IATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 687+ | 20.61 грн |
| 800+ | 17.70 грн |
| 808+ | 17.52 грн |
| 894+ | 15.27 грн |
| 1000+ | 13.37 грн |
| 3000+ | 10.60 грн |
| BSP171IATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 23.45 грн |
| 37+ | 20.61 грн |
| 100+ | 17.07 грн |
| 250+ | 15.64 грн |
| 500+ | 13.57 грн |
| 1000+ | 12.83 грн |
| 3000+ | 10.60 грн |
| BSP171IATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.66 грн |
| 500+ | 18.25 грн |
| 1000+ | 15.15 грн |
| BSP171IATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.37 грн |
| 10+ | 36.15 грн |
| 100+ | 20.30 грн |
| 500+ | 15.51 грн |
| 1000+ | 13.96 грн |
| 3000+ | 11.91 грн |
| 6000+ | 10.92 грн |
| BSP171IATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 64.39 грн |
| 21+ | 39.80 грн |
| 100+ | 25.66 грн |
| 500+ | 18.25 грн |
| 1000+ | 15.15 грн |
| BSP171IATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Description: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.81 грн |
| 10+ | 39.32 грн |
| 100+ | 25.37 грн |
| 500+ | 18.17 грн |
| 1000+ | 16.35 грн |






