BSP171IATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.71 грн |
| 42000+ | 18.01 грн |
| 63000+ | 16.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP171IATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP171IATMA1 за ціною від 9.69 грн до 61.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP171IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP171IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSP171IATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP171IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP171IATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP171IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSP171IATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V |
товару немає в наявності |