Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp171p_rev2.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 15.13 грн до 91.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.37 грн
2000+16.93 грн
3000+16.76 грн
5000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.66 грн
2000+20.62 грн
3000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.37 грн
2000+23.14 грн
3000+22.72 грн
5000+16.42 грн
7000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.01 грн
2000+24.76 грн
3000+24.29 грн
5000+17.57 грн
7000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.30 грн
500+25.41 грн
1000+19.44 грн
5000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.88 грн
11+36.10 грн
47+20.11 грн
128+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.39 грн
10+48.93 грн
100+32.13 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.11 грн
16+53.29 грн
100+35.30 грн
500+25.41 грн
1000+19.44 грн
5000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 9684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.49 грн
10+54.10 грн
100+31.16 грн
500+24.17 грн
1000+19.69 грн
2000+19.38 грн
5000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.06 грн
10+44.99 грн
47+24.13 грн
128+22.80 грн
3000+22.33 грн
5000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.