BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp171p_rev2.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 15.39 грн до 85.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.99 грн
2000+18.34 грн
3000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.66 грн
2000+22.66 грн
3000+17.16 грн
5000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.48 грн
2000+24.32 грн
3000+18.42 грн
5000+17.55 грн
7000+16.09 грн
10000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.30 грн
500+27.35 грн
1000+21.48 грн
5000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.72 грн
10+41.50 грн
25+35.77 грн
46+19.97 грн
127+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.06 грн
10+51.72 грн
25+42.92 грн
46+23.96 грн
127+22.73 грн
2000+22.45 грн
3000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.94 грн
17+51.72 грн
100+35.30 грн
500+27.35 грн
1000+21.48 грн
5000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.59 грн
235+52.18 грн
276+44.36 грн
500+34.36 грн
1000+31.23 грн
4000+24.53 грн
8000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.55 грн
10+50.07 грн
100+32.93 грн
500+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP171P_DS_v02_07_en-1226295.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.57 грн
10+53.72 грн
100+31.39 грн
500+24.60 грн
1000+21.88 грн
2000+19.92 грн
5000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.