Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp171p_rev2.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 12.12 грн до 87.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.20 грн
2000+17.13 грн
3000+14.64 грн
5000+14.01 грн
7000+12.89 грн
10000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.79 грн
2000+19.90 грн
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.26 грн
2000+20.97 грн
3000+16.29 грн
5000+15.52 грн
7000+14.24 грн
10000+12.90 грн
25000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.81 грн
2000+22.23 грн
3000+17.27 грн
5000+16.46 грн
7000+15.11 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.33 грн
500+26.60 грн
1000+20.89 грн
5000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+46.91 грн
271+45.03 грн
500+43.40 грн
1000+40.48 грн
2500+36.38 грн
5000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.86 грн
10+40.75 грн
25+28.44 грн
46+19.57 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.99 грн
17+50.30 грн
100+34.33 грн
500+26.60 грн
1000+20.89 грн
5000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+70.03 грн
238+51.20 грн
271+45.03 грн
500+33.72 грн
1000+29.85 грн
4000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+49.77 грн
100+32.77 грн
500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.04 грн
10+50.78 грн
25+34.13 грн
46+23.49 грн
100+21.38 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP171P_DS_v02_07_en-1226295.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 10376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.34 грн
10+59.42 грн
25+50.57 грн
100+34.05 грн
500+26.42 грн
1000+22.75 грн
2000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.