Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.60 грн
2000+21.64 грн
3000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 19.66 грн до 92.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.28 грн
2000+26.72 грн
3000+25.70 грн
5000+24.69 грн
7000+22.05 грн
10000+20.41 грн
25000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.31 грн
2000+26.84 грн
3000+25.80 грн
5000+24.78 грн
7000+22.12 грн
10000+20.47 грн
25000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.07 грн
10+45.95 грн
100+30.41 грн
200+27.17 грн
250+26.18 грн
500+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.30 грн
100+33.67 грн
500+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.43 грн
13+62.95 грн
25+61.93 грн
50+59.11 грн
100+38.88 грн
250+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.43 грн
226+62.95 грн
229+61.93 грн
232+59.11 грн
326+38.88 грн
576+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 33493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 40012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.28 грн
2000+26.72 грн
3000+25.70 грн
5000+24.69 грн
7000+22.05 грн
10000+20.41 грн
25000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.31 грн
2000+26.84 грн
3000+25.80 грн
5000+24.78 грн
7000+22.12 грн
10000+20.47 грн
25000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.07 грн
10+45.95 грн
100+30.41 грн
200+27.17 грн
250+26.18 грн
500+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.65 грн
10+51.30 грн
100+33.67 грн
500+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.43 грн
13+62.95 грн
25+61.93 грн
50+59.11 грн
100+38.88 грн
250+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+92.43 грн
226+62.95 грн
229+61.93 грн
232+59.11 грн
326+38.88 грн
576+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 33493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 40012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.