Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+27.78 грн
2000+24.43 грн
3000+23.24 грн
5000+20.56 грн
7000+19.82 грн
10000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 16.85 грн до 96.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.04 грн
2000+26.66 грн
3000+25.65 грн
5000+24.63 грн
7000+22.00 грн
10000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.04 грн
2000+26.66 грн
3000+25.65 грн
5000+24.63 грн
7000+22.00 грн
10000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.59 грн
2000+27.14 грн
3000+26.11 грн
5000+25.09 грн
7000+22.40 грн
10000+20.74 грн
25000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.66 грн
2000+27.21 грн
3000+26.17 грн
5000+25.15 грн
7000+22.46 грн
10000+20.79 грн
25000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.01 грн
200+31.61 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.02 грн
283+50.11 грн
500+38.87 грн
1000+33.83 грн
2000+26.74 грн
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.66 грн
10+46.92 грн
100+31.05 грн
200+27.74 грн
250+26.72 грн
500+23.92 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.87 грн
16+51.97 грн
50+43.01 грн
200+31.61 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 4556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.34 грн
10+53.33 грн
100+30.52 грн
500+23.61 грн
1000+21.36 грн
2000+18.54 грн
5000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.03 грн
100+38.08 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.04 грн
2000+26.66 грн
3000+25.65 грн
5000+24.63 грн
7000+22.00 грн
10000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.04 грн
2000+26.66 грн
3000+25.65 грн
5000+24.63 грн
7000+22.00 грн
10000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.59 грн
2000+27.14 грн
3000+26.11 грн
5000+25.09 грн
7000+22.40 грн
10000+20.74 грн
25000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.66 грн
2000+27.21 грн
3000+26.17 грн
5000+25.15 грн
7000+22.46 грн
10000+20.79 грн
25000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.01 грн
200+31.61 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 bsp171p_rev2.7.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
189+75.02 грн
283+50.11 грн
500+38.87 грн
1000+33.83 грн
2000+26.74 грн
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+77.66 грн
10+46.92 грн
100+31.05 грн
200+27.74 грн
250+26.72 грн
500+23.92 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.87 грн
16+51.97 грн
50+43.01 грн
200+31.61 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 4556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.34 грн
10+53.33 грн
100+30.52 грн
500+23.61 грн
1000+21.36 грн
2000+18.54 грн
5000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.74 грн
10+58.03 грн
100+38.08 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.