Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp171p_rev2.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 12.15 грн до 80.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.34 грн
2000+17.98 грн
3000+14.67 грн
5000+14.03 грн
7000+12.92 грн
10000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.35 грн
2000+22.57 грн
3000+16.19 грн
5000+15.43 грн
7000+14.15 грн
10000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.97 грн
2000+20.93 грн
3000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.24 грн
2000+24.39 грн
3000+17.49 грн
5000+16.67 грн
7000+15.29 грн
10000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.57 грн
500+26.82 грн
1000+21.01 грн
5000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.29 грн
281+43.48 грн
500+41.91 грн
1000+39.09 грн
2500+35.13 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.02 грн
10+40.85 грн
25+28.51 грн
47+19.46 грн
100+17.86 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.32 грн
16+52.24 грн
100+35.57 грн
500+26.82 грн
1000+21.01 грн
5000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+72.23 грн
231+52.87 грн
263+46.45 грн
500+34.75 грн
1000+30.72 грн
4000+25.45 грн
8000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.23 грн
10+50.90 грн
25+34.21 грн
47+23.36 грн
100+21.43 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+52.34 грн
100+34.46 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP171P_DS_v02_07_en-1226295.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 17096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.77 грн
10+51.95 грн
100+36.34 грн
500+28.47 грн
1000+21.48 грн
2000+19.86 грн
25000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.