BSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp171p_rev2.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 15.66 грн до 88.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.31 грн
2000+17.77 грн
3000+17.60 грн
5000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.83 грн
2000+21.31 грн
3000+21.09 грн
5000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 172000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.81 грн
2000+23.15 грн
3000+22.92 грн
5000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.03 грн
500+25.20 грн
1000+20.07 грн
5000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.83 грн
10+41.59 грн
25+35.84 грн
47+20.01 грн
128+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+67.51 грн
245+49.50 грн
288+42.07 грн
500+32.63 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.20 грн
10+51.82 грн
25+43.01 грн
47+24.01 грн
128+22.68 грн
2000+22.50 грн
3000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.70 грн
10+50.17 грн
100+32.99 грн
500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.40 грн
17+52.85 грн
100+35.03 грн
500+25.20 грн
1000+20.07 грн
5000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 9889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.04 грн
10+53.83 грн
100+31.00 грн
500+24.05 грн
1000+19.89 грн
2000+17.62 грн
10000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp171p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.