BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 23.35 грн |
| 2000+ | 20.54 грн |
| 3000+ | 19.54 грн |
| 5000+ | 17.29 грн |
| 7000+ | 16.67 грн |
| 10000+ | 16.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSP171PH6327XTSA1 за ціною від 16.55 грн до 84.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 218000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 218000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 41489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 41489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 |
на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP171PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |