Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP220,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP220,115 за ціною від 25.67 грн до 85.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP220,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 16400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A Power dissipation: 1.5W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BSP220,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BSP220,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 133 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1226+ | 28.78 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1226+ | 28.78 грн |
| 10000+ | 25.67 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1226+ | 28.78 грн |
| 10000+ | 25.67 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.45 грн |
| 2000+ | 27.43 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.61 грн |
| 2000+ | 27.58 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 82.00 грн |
| 10+ | 48.37 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.25 грн |
| 10+ | 51.29 грн |
| 100+ | 33.84 грн |
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP220,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






