Продукція > NEXPERIA > BSP225,115
BSP225,115

BSP225,115 Nexperia

2922bsp225_cnv.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
438+17.31 грн
500+17.25 грн
1000+17.18 грн
3000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP225,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSP225,115 за ціною від 15.05 грн до 64.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA 75759804052040bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia 2922bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia 2922bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.78 грн
2000+16.31 грн
3000+15.77 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA 454175.pdf Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia 2922bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.59 грн
2000+17.79 грн
3000+17.21 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP225_CNV.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.73 грн
2000+18.99 грн
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia 2922bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
406+30.24 грн
408+30.08 грн
586+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003061134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.11 грн
200+27.74 грн
500+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F6C424A2F2747&compId=BSP225.pdf?ci_sign=43b6b4127ca10eaa699abdc49a62f1ec23ed2cce Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.09 грн
12+35.24 грн
36+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP225_CNV.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.75 грн
10+43.13 грн
100+29.42 грн
500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia BSP225_CNV.pdf MOSFETs P-channel vertical D-MOS intermediate level FET
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.47 грн
10+44.62 грн
100+26.56 грн
250+25.10 грн
500+22.19 грн
1000+18.14 грн
2000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003061134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.73 грн
19+45.85 грн
50+38.55 грн
200+29.02 грн
500+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F6C424A2F2747&compId=BSP225.pdf?ci_sign=43b6b4127ca10eaa699abdc49a62f1ec23ed2cce Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.90 грн
10+43.91 грн
36+31.86 грн
97+30.13 грн
200+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : Nexperia 2922bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Виробник : NEXPERIA 75759804052040bsp225_cnv.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.