Продукція > NEXPERIA > BSP225,115
BSP225,115

BSP225,115 NEXPERIA

BSP225.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.87 грн
12+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP225,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP225,115 за ціною від 61.60 грн до 1827.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP225,115 BSP225,115 Nexperia bsp225.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.64 грн
230+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 Nexperia USA Inc. BSP225_CNV.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1827.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003061134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 NEXPERIA 454175.pdf Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003061134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 bsp225.pdf
BSP225,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
144+98.64 грн
230+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 BSP225_CNV.pdf
BSP225,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1827.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 NEXP-S-A0003061134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP225,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 454175.pdf
BSP225,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115 NEXP-S-A0003061134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP225,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.