BSP250,135 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 13.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP250,135 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V.
Інші пропозиції BSP250,135 за ціною від 12.63 грн до 46.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP250,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 115226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP250,135 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSP250/SOT223/SC-73 |
на замовлення 15391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP250,135 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSP250,135 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |