Продукція > NEXPERIA > BSP250,115
BSP250,115

BSP250,115 Nexperia

74259007555508bsp250.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP250,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP250,115 за ціною від 14.30 грн до 56.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.70 грн
2000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.91 грн
2000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : NEXPERIA 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 50998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP250.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.95 грн
2000+16.06 грн
3000+15.74 грн
5000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : NEXPERIA BSP250.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.63 грн
12+34.74 грн
43+21.77 грн
117+20.59 грн
500+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.26 грн
200+31.68 грн
500+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115
Код товару: 210021
Додати до обраних Обраний товар

BSP250.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : NEXPERIA BSP250.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.76 грн
10+43.30 грн
43+26.13 грн
117+24.71 грн
500+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP250.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 21058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.43 грн
10+46.85 грн
100+30.61 грн
500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.58 грн
17+52.31 грн
50+43.26 грн
200+31.68 грн
500+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia BSP250.pdf MOSFETs P-channel vertical D-MOS intermediate level FET
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.87 грн
10+44.08 грн
100+26.18 грн
500+21.88 грн
1000+16.30 грн
2000+15.54 грн
5000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 Виробник : NXP BSP250.pdf P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : NEXPERIA 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115 BSP250,115 Виробник : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.