
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
51+ | 12.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP250,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V.
Інші пропозиції BSP250,115 за ціною від 13.95 грн до 52.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 50998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSP250,115 Код товару: 210021
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 21058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 385 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |