BSP250,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 25.01 грн |
| 2000+ | 21.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP250,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: SOT-223, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BSP250,115 за ціною від 32.37 грн до 87.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP250,115 | Виробник : NXP |
P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|