Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP295H6327XTSA1
BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp295_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP295H6327XTSA1 за ціною від 17.89 грн до 90.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
551+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 551
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.14 грн
2000+21.24 грн
3000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.69 грн
2000+19.09 грн
4000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.16 грн
2000+20.22 грн
4000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.06 грн
1000+28.02 грн
2000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+36.66 грн
346+36.56 грн
500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.42 грн
19+39.44 грн
25+39.05 грн
100+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.90 грн
200+37.52 грн
500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.40 грн
10+44.92 грн
50+32.03 грн
100+27.78 грн
125+26.62 грн
200+24.46 грн
500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.48 грн
10+55.98 грн
50+38.43 грн
100+33.34 грн
125+31.94 грн
200+29.35 грн
500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.01 грн
16+59.21 грн
50+49.81 грн
200+37.52 грн
500+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.52 грн
10+51.82 грн
100+34.06 грн
500+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP295_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.56 грн
10+56.30 грн
100+32.18 грн
500+25.31 грн
1000+22.20 грн
2000+19.33 грн
5000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f N-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.