BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 551+ | 26.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
551 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції BSP295H6327XTSA1 за ціною від 21.65 грн до 102.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 1.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 1743 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 |
на замовлення 5314 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 14384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.73 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 28.29 грн |
| 2000+ | 21.86 грн |
| 4000+ | 21.65 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 28.61 грн |
| 2000+ | 22.12 грн |
| 4000+ | 21.90 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 33.59 грн |
| 1000+ | 30.30 грн |
| 2000+ | 26.63 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 345+ | 42.48 грн |
| 346+ | 42.36 грн |
| 500+ | 41.38 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.12 грн |
| 19+ | 42.65 грн |
| 25+ | 42.23 грн |
| 100+ | 32.71 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 93.26 грн |
| 10+ | 53.49 грн |
| 41+ | 24.20 грн |
| 111+ | 22.92 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.43 грн |
| 10+ | 57.23 грн |
| 50+ | 42.52 грн |
| 100+ | 35.44 грн |
| 500+ | 27.59 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.70 грн |
| 10+ | 47.15 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 28.44 грн |
| 1000+ | 25.73 грн |
| 2000+ | 24.83 грн |
| 5000+ | 22.87 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 14384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP295H6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)