Продукція > INFINEON > BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1 Infineon


info-tbsp295.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP295H6327XTSA1 Infineon

Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP295H6327XTSA1 за ціною від 17.34 грн до 87.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP295_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.05 грн
10+50.74 грн
100+29.04 грн
500+23.19 грн
1000+19.95 грн
2000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.22 грн
10+52.84 грн
100+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 Infineon_BSP295_DS_v02_03_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.05 грн
10+50.74 грн
100+29.04 грн
500+23.19 грн
1000+19.95 грн
2000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.22 грн
10+52.84 грн
100+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.