Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP295H6327XTSA1
BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp295_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP295H6327XTSA1 за ціною від 18.11 грн до 83.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
551+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 551
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.66 грн
2000+18.29 грн
4000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.06 грн
2000+19.37 грн
4000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.76 грн
1000+26.85 грн
2000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+35.13 грн
346+35.03 грн
500+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+43.52 грн
19+37.79 грн
25+37.42 грн
100+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.25 грн
200+35.52 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 1.8A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.86 грн
10+47.02 грн
42+22.45 грн
114+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.81 грн
16+56.07 грн
50+47.16 грн
200+35.52 грн
500+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 1.8A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.43 грн
10+58.60 грн
42+26.94 грн
114+25.43 грн
1000+25.05 грн
3000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.61 грн
10+51.51 грн
100+36.07 грн
500+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP295_DS_v02_03_en-1226422.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.01 грн
10+57.57 грн
25+48.54 грн
100+34.86 грн
500+24.88 грн
1000+22.53 грн
2000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f N-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.