Технічний опис BSP296 L6327 INFINEON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SOT223, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.1A, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.8W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V.
Інші пропозиції BSP296 L6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP296L6327 | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BSP296 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP296L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP296 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP296L6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |