BSP296L6433HTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1124+ | 27.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP296L6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSP296L6433HTMA1 за ціною від 27.16 грн до 27.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP296L6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BSP296L6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BSP296L6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
BSP296L6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
BSP296L6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |