Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP296NH6433XTMA1
BSP296NH6433XTMA1

BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies

bsp296n_rev20.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP296NH6433XTMA1 за ціною від 16.45 грн до 79.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.47 грн
8000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.56 грн
500+27.20 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+72.65 грн
256+49.56 грн
260+48.80 грн
500+33.73 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+73.73 грн
18+50.44 грн
100+35.56 грн
500+27.20 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.70 грн
10+50.14 грн
100+29.71 грн
500+23.56 грн
1000+21.32 грн
2000+19.41 грн
4000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.47 грн
10+47.66 грн
100+31.24 грн
500+22.67 грн
1000+20.52 грн
2000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223; SMT
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: N
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Case: SOT223
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 329mΩ
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 329mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.