Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP297H6327XTSA1
BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.49 грн
2000+22.44 грн
3000+21.37 грн
5000+18.92 грн
7000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP297H6327XTSA1 за ціною від 17.62 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.79 грн
2000+23.60 грн
5000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.63 грн
2000+25.29 грн
5000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.02 грн
2000+25.65 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.88 грн
2000+27.36 грн
5000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.85 грн
25+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.33 грн
200+34.17 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.53 грн
10+41.91 грн
50+33.45 грн
100+29.75 грн
200+25.97 грн
500+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+62.96 грн
220+58.86 грн
288+45.06 грн
500+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.03 грн
10+52.23 грн
50+40.14 грн
100+35.70 грн
200+31.16 грн
500+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+72.34 грн
192+67.59 грн
252+51.53 грн
267+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+73.04 грн
15+53.85 грн
50+45.72 грн
200+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP297_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 42706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.84 грн
10+51.27 грн
100+29.36 грн
500+22.87 грн
1000+20.35 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.56 грн
10+52.89 грн
100+34.82 грн
500+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.