
BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 19.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP297H6327XTSA1 за ціною від 17.75 грн до 75.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 90765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |