Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP298H6327XUSA1
BSP298H6327XUSA1

BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies

bsp298_rev2.6_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+181.47 грн
500+172.10 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP298H6327XUSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP298H6327XUSA1 Infineon Infineon-BSP298-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c05f65f0f29 MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP298-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c05f65f0f29 Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP298_DS_v02_06_en-1731194.pdf MOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 BSP298H6327XUSA1 INFINEON 1839951.pdf Description: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 BSP298H6327XUSA1 INFINEON 1839951.pdf Description: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 500
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 Infineon-BSP298-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c05f65f0f29
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 Infineon-BSP298-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c05f65f0f29
BSP298H6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 Infineon_BSP298_DS_v02_06_en-1731194.pdf
BSP298H6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 1839951.pdf
BSP298H6327XUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 1839951.pdf
BSP298H6327XUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 500
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.