Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP299H6327XUSA1
BSP299H6327XUSA1

BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP299-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c60b78c104c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSP299H6327XUSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP299H6327XUSA1 BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP299-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c60b78c104c Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP299_DS_v02_04_en-1226580.pdf MOSFETs N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 BSP299H6327XUSA1 INFINEON 1932430.pdf Description: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 BSP299H6327XUSA1 INFINEON 1932430.pdf Description: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP299-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c60b78c104c Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 Infineon-BSP299-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c60b78c104c
BSP299H6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 Infineon_BSP299_DS_v02_04_en-1226580.pdf
BSP299H6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 1932430.pdf
BSP299H6327XUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 1932430.pdf
BSP299H6327XUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1 Infineon-BSP299-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c60b78c104c
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.