BSP31,115 Nexperia
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 4.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP31,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSP31,115 за ціною від 4.97 грн до 64.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A PNP medium power transistor |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
BSP31.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |