BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 17.88 грн |
| 2000+ | 17.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP315PH6327XTSA1 за ціною від 13.43 грн до 69.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon |
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon |
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 |
на замовлення 16978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 18.30 грн |
| 2000+ | 18.12 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 18.87 грн |
| 2000+ | 18.68 грн |
| 3000+ | 18.40 грн |
| 5000+ | 17.67 грн |
| 7000+ | 14.18 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 19.05 грн |
| 2000+ | 18.86 грн |
| 3000+ | 18.57 грн |
| 5000+ | 17.84 грн |
| 7000+ | 14.38 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 19.71 грн |
| 2000+ | 17.28 грн |
| 3000+ | 16.42 грн |
| 5000+ | 14.49 грн |
| 7000+ | 13.95 грн |
| 10000+ | 13.43 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 30.39 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 30.39 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 207+ | 67.90 грн |
| 306+ | 45.99 грн |
| 500+ | 40.46 грн |
| 2000+ | 31.34 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.28 грн |
| 10+ | 41.73 грн |
| 100+ | 27.25 грн |
| 500+ | 19.70 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 16978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP315PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)