Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP315PH6327XTSA1
BSP315PH6327XTSA1

BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+20.30 грн
2000+17.80 грн
3000+16.91 грн
5000+14.93 грн
7000+14.37 грн
10000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP315PH6327XTSA1 за ціною від 12.55 грн до 71.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp315p.pdf P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp315p.pdf P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP315P_DS_v01_07_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.32 грн
10+41.34 грн
100+24.53 грн
500+18.89 грн
1000+12.83 грн
10000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+42.99 грн
100+28.07 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 info-tbsp315p.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 info-tbsp315p.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 Infineon_BSP315P_DS_v01_07_en.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.32 грн
10+41.34 грн
100+24.53 грн
500+18.89 грн
1000+12.83 грн
10000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.36 грн
10+42.99 грн
100+28.07 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.