Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP315PH6327XTSA1
BSP315PH6327XTSA1

BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp315p_rev1.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP315PH6327XTSA1 за ціною від 12.70 грн до 76.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.13 грн
2000+15.03 грн
3000+14.47 грн
5000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.06 грн
200+26.51 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.31 грн
326+37.50 грн
371+32.94 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.96 грн
10+39.07 грн
100+26.62 грн
500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.27 грн
21+41.57 грн
50+35.06 грн
200+26.51 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.44 грн
10+42.56 грн
50+18.37 грн
137+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP315P_DS_v01_07_en-1226269.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.63 грн
10+46.55 грн
100+27.61 грн
500+21.95 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.13 грн
10+53.03 грн
50+22.05 грн
137+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.