Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP315PH6327XTSA1
BSP315PH6327XTSA1

BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.

Інші пропозиції BSP315PH6327XTSA1 за ціною від 21.40 грн до 87.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp315p.pdf P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp315p.pdf P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.28 грн
11+40.29 грн
100+27.60 грн
200+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.16 грн
10+45.18 грн
50+33.38 грн
100+27.73 грн
500+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.85 грн
13+57.93 грн
50+47.06 грн
100+38.73 грн
500+28.43 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.85 грн
244+57.93 грн
300+47.06 грн
352+38.73 грн
500+28.43 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bsp315p_ds_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 info-tbsp315p.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 info-tbsp315p.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.28 грн
11+40.29 грн
100+27.60 грн
200+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.16 грн
10+45.18 грн
50+33.38 грн
100+27.73 грн
500+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 bsp315p_rev1.7.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.85 грн
13+57.93 грн
50+47.06 грн
100+38.73 грн
500+28.43 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 bsp315p_rev1.7.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.85 грн
244+57.93 грн
300+47.06 грн
352+38.73 грн
500+28.43 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 infineon_bsp315p_ds_en.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.