BSP315PL6327
Виробник:
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP315PL6327
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.17A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції BSP315PL6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP315P L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP315P L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V 1.17A SOT-223-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP315PL6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |