НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BSP 2 Way Brass 1'' Valve
Код товару: 132833
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 2 Way Stainless Steel 1'' Valve
Код товару: 132834
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 50 E6327Infineon TechnologiesDarlington Transistors NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 50 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 51 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 51 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 52 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 52 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 60 E6433Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 60 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 61 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 62 E6327Infineon TechnologiesDarlington Transistors PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 62 E6327
Код товару: 162838
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 62 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-0NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps COLORED BOOT NPC PLG NEUTRICN BLK
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-1BEPPanel Mounted Switches Plate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-1NeutrikPhone Connectors NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Brown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-1/2CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-1/2 PP08 YEL002 MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-1/4CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-1/4 PP08 YEL002 MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-BDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = на кабель, Колір = чорний, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-BAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; black; 56mm; brass
Type of lab connector: 4mm banana
Connector: plug
Current rating: 32A
Colour: black
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Mounting: on cable; soldered
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Material: brass
Contact plating: nickel plated
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.15 грн
7+67.14 грн
30+54.55 грн
100+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-B
Код товару: 104292
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-BLAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; brass
Material: brass
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable; soldered
Connector: plug
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Current rating: 32A
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: blue
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
7+67.14 грн
30+54.55 грн
100+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-BL
Код товару: 104290
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-BLDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = На кабель, Колір = синій, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-GDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = На кабель, Колір = зелений, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-GAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; green; 56mm; brass
Material: brass
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable; soldered
Connector: plug
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Current rating: 32A
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: green
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
7+67.14 грн
30+54.55 грн
100+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-R
Код товару: 104291
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-RAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; red; 56mm; brass
Type of lab connector: 4mm banana
Connector: plug
Current rating: 32A
Colour: red
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Mounting: on cable; soldered
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Material: brass
Contact plating: nickel plated
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.15 грн
7+67.14 грн
30+54.55 грн
100+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-104-RDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = на кабель, Колір = червоний, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-11U-12MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-11U-12PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-11U-12SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-11U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46433.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-11U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-11U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-15-350(BSP-15A)INTERSIL08+;
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-15AEQUATORBGA
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-15A LF
Код товару: 37296
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-15A-LFEQUATR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-15A/100-0004-22AMDQFP
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-196383-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Tray
Connector Usage: Backplane
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-196386-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Tray
Connector Usage: Backplane
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-2Mueller ElectricMueller Electric NEUTRIC RED STRAIN RELIEF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-2NeutrikPhone Connectors RED BOOT FOR C-SERIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-204-BAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; black
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Insulator material: polyamide
Overall length: 68.3mm
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: black
Material: brass
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.90 грн
7+65.46 грн
100+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-204-RAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; red
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Insulator material: polyamide
Overall length: 68.3mm
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: red
Material: brass
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.90 грн
7+65.46 грн
100+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-226769-01SamtecHigh Speed/Modular Connectors XCede(R) HD High-Density Backplane Custom Right-Angle Module
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2324.00 грн
10+1865.03 грн
28+1544.38 грн
56+1470.47 грн
112+1392.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-226769-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Pitch: 0.071" (1.80mm)
Connector Usage: Daughtercard
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2538.29 грн
10+2077.33 грн
25+1947.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-12MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-12MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-12PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-12PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-12SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-12SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-6MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-6PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-6SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-22U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-3NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Orange
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-3/4CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-3/4 PP08 YEL002
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.38 грн
10+63.74 грн
100+49.78 грн
500+40.72 грн
1000+36.19 грн
2000+32.77 грн
10000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-3/8CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-3/8 PP08 YEL002
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-4NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Yellow
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-44U-6MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-44U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-44U-6PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-44U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-44U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-44U-6SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-4PR-01-HDTFSamtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-5NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-6NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Blue
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-6Neutrik USA Inc.Connector Accessories Boot Blue Box
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+202.46 грн
67+194.63 грн
120+166.67 грн
270+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-7NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Violet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-8NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Grey
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-9NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;White
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-KITSLeaderTechComponent Kits Board Shield Prototyping Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-PIR90-UCarlo GavazziInfrared Detectors SMART-DUPLINE OUTDOOR PIR SENSOR REV.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP-PIR90A-UCarlo GavazziInfrared Detectors SMART-DUPLINE INDOOR PIR SENSOR REV.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP00HJBalluffDescription: MEASURING RANGE=0...250 BAR, ACC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP030PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP030,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP030,115NexperiaMOSFETs TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP030,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP030,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.02 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 8.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 8.3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP030,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP030/BSP030PHILIPS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP05DremelDescription: BOSCH SCREW PILOT COUNTER SINK P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP090PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP100Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM PRIMER
Packaging: Box
Type: Paint Shop Primer
Size: 32 oz
Specifications: Gray
Part Status: Active
Package Quantity: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP100PH09+
на замовлення 34391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP100,135Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 20683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 518
В кошику  од. на суму  грн.
BSP100,135NexperiaMOSFETs TAPE13 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP100,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP100,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP100,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 20557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+44.87 грн
1000+41.38 грн
10000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1010-05H03 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 2.5mA 5Vp-p 70dB 4700Hz to 5700Hz Surface Mount Solder Pad T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP103PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP105PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP106PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP107PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP108PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP109PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP10TCQCIT Relay and SwitchDescription: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.63 грн
10+182.41 грн
25+172.04 грн
50+154.43 грн
200+141.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP110PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP110,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1109-05H1.7BeStar Technologies, Inc.Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD
Packaging: Box
Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.1kHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm
Current - Supply: 1mA
Input Type: Peak-Peak Signal
Operating Mode: Single Tone
Voltage Range: 1 ~ 25V
Technology: Piezo
Termination: Solder Tabs
Port Location: Top
Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 5 V
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.19 грн
10+89.13 грн
50+74.02 грн
100+52.46 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1109-05H1.7 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP120PH09+
на замовлення 32430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP120BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+775.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP121PH09+
на замовлення 18318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1212-03H03-01 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1212-03H03-06BeStar Technologies, Inc.Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER
Packaging: Box
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz
Voltage - Input (Max): 3V p-p
Termination: Solder Pads
Part Status: Active
Frequency: 4 kHz
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+116.87 грн
10+85.13 грн
50+70.70 грн
100+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1212-03H03-06 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1212-03H03-06 LFBESTARCase: SMD; Frequency: 4000Hz; Sound pressure: 75dB; Dimensions: 12.2/12/3.1 mm; Voltage: 3 V BSP1212-03H03-06 LF FHD PBBSP1212-03H03-06 LF
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1212-03H03-06 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1212-05H2.5 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+41.12 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.58 грн
14+30.80 грн
50+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.95 грн
22+38.72 грн
50+32.21 грн
200+23.79 грн
500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.00 грн
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 14955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+41.12 грн
1000+37.93 грн
10000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+28.30 грн
1000+25.50 грн
2000+23.16 грн
3000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115InfineonMOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NexperiaMOSFETs BSP122/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.21 грн
200+23.79 грн
500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122T/RPHILIPSO6 TO223
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP123Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP123INFLNEON07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP123 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP123E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP124PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125INFINEONTO-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125
Код товару: 25351
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 E6433Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 H6327InfineonMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.07 грн
10+47.87 грн
100+27.47 грн
500+21.61 грн
1000+18.41 грн
2000+16.66 грн
5000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.33 грн
10+47.87 грн
100+27.26 грн
500+21.13 грн
1000+19.03 грн
2000+17.36 грн
4000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125-L6327InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327Infineon technologies
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
16+52.71 грн
50+43.03 грн
200+30.97 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.95 грн
10+43.66 грн
100+28.49 грн
500+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.19 грн
10+46.75 грн
100+25.73 грн
500+19.80 грн
1000+16.59 грн
2000+14.36 грн
5000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.12 грн
2000+20.86 грн
3000+20.65 грн
5000+19.45 грн
7000+17.45 грн
10000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.03 грн
200+30.97 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.62 грн
2000+18.09 грн
3000+17.19 грн
5000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.59 грн
11+40.96 грн
50+30.05 грн
100+26.44 грн
200+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.87 грн
2000+22.38 грн
3000+22.15 грн
5000+20.86 грн
7000+18.73 грн
10000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.16 грн
50+40.59 грн
250+31.48 грн
1000+22.89 грн
2000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 120mA; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 6.6nC
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: N
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.77 грн
24+31.54 грн
38+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 10962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.04 грн
100+22.94 грн
500+20.64 грн
1000+19.52 грн
2000+18.62 грн
4000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.59 грн
250+31.48 грн
1000+22.89 грн
2000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.01 грн
10+47.89 грн
100+31.38 грн
500+22.78 грн
1000+20.64 грн
2000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327Infineon technologies
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
667+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+49.20 грн
1000+45.37 грн
10000+40.45 грн
100000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 472
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 211159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
903+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 903
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6433HTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6433HTMA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 870
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
856+37.71 грн
1000+34.77 грн
10000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 856
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 130700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
856+37.71 грн
1000+34.77 грн
10000+31.00 грн
100000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 856
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 51225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
10+38.60 грн
100+25.11 грн
500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.80 грн
18+45.72 грн
50+36.04 грн
200+24.47 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+46.59 грн
1000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.13 грн
2000+15.89 грн
3000+15.09 грн
5000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.00 грн
12+36.00 грн
25+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.04 грн
200+24.47 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.85 грн
10+61.82 грн
100+33.47 грн
500+23.08 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+38.30 грн
100+24.94 грн
500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,135NexperiaMOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.78 грн
10+51.80 грн
50+33.19 грн
100+29.35 грн
1000+21.89 грн
2000+17.43 грн
4000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126/S911,115NXP SemiconductorsBSP126/S911,115
на замовлення 195767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+52.37 грн
1000+48.30 грн
10000+43.06 грн
100000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126/S911,115NXP SemiconductorsBSP126/S911,115
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+52.37 грн
1000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126/S911115NXPDescription: NXP - BSP126/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 204767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1526+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1526
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126/S911115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP127PH09+
на замовлення 16772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP128PH09+
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129
Код товару: 100165
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.95 грн
10+46.59 грн
100+26.70 грн
500+20.99 грн
1000+17.85 грн
2000+16.18 грн
5000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 H6327Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+67.58 грн
250+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
на замовлення 9601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.27 грн
10+78.58 грн
100+45.39 грн
500+37.23 грн
1000+32.56 грн
2000+29.91 грн
5000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 L6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.98 грн
2000+20.95 грн
3000+20.57 грн
5000+19.64 грн
7000+18.00 грн
10000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.33 грн
13+34.41 грн
50+27.28 грн
100+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.17 грн
2000+17.68 грн
3000+16.80 грн
5000+14.83 грн
7000+14.27 грн
10000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1
Код товару: 139226
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.35 грн
200+29.53 грн
500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.60 грн
10+42.75 грн
100+27.89 грн
500+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.35 грн
10+42.42 грн
100+24.05 грн
500+18.55 грн
1000+15.48 грн
2000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.56 грн
2000+19.71 грн
3000+19.35 грн
5000+18.48 грн
7000+16.93 грн
10000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.53 грн
17+48.81 грн
50+40.35 грн
200+29.53 грн
500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1InfineonМОП-транзистор 240V 6Ohm 0.05Amp, SOT-223-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
10000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129H6906XTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
10000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
на замовлення 9851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.45 грн
10+38.73 грн
1000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.28 грн
39+19.06 грн
40+17.85 грн
50+16.29 грн
100+15.40 грн
250+15.17 грн
500+14.93 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+17.54 грн
748+17.28 грн
758+17.03 грн
770+16.17 грн
782+14.75 грн
794+13.94 грн
1000+13.72 грн
3000+13.50 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 737
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+56.58 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327
Код товару: 47967
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 236388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 709
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6327HTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 236388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
985+32.78 грн
1068+30.24 грн
10000+26.96 грн
100000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 985
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6906ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6906 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6906Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+36.08 грн
1000+33.26 грн
10000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130
Код товару: 41803
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130NexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130,115NexperiaГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP130,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1313-05H2.5 LFBESTARCase: SMD; Frequency: 4100Hz; Sound pressure: 85dB; Dimensions: 17/13/2.5 mm; Voltage: 12 V BSP1313-05H2.5 LF FHD PBBSP1313-05H2.5 LF
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1313-05H2.5 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 5mA 5Vp-p 75dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135INF09+
на замовлення 36772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135
Код товару: 73096
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 E6327Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 E6906Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 33308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.88 грн
10+71.04 грн
100+41.21 грн
500+33.75 грн
1000+29.49 грн
2000+27.19 грн
5000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 H6327
Код товару: 219814
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 H6433Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135-L6327NXP
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135EINFINEON09+ DIP-4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 23235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.52 грн
10+78.58 грн
100+48.60 грн
500+38.35 грн
1000+30.82 грн
2000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.25 грн
2000+42.43 грн
3000+42.09 грн
5000+40.05 грн
7000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.86 грн
2000+33.58 грн
3000+32.11 грн
5000+28.58 грн
7000+27.66 грн
10000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1
Код товару: 119867
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.29 грн
200+54.54 грн
500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.15 грн
10+75.46 грн
100+50.56 грн
500+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.79 грн
10+70.25 грн
50+53.96 грн
100+48.17 грн
200+42.89 грн
500+36.76 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.91 грн
10+87.85 грн
50+73.29 грн
200+54.54 грн
500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.73 грн
10+90.29 грн
100+60.85 грн
500+42.68 грн
1000+36.19 грн
5000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+79.85 грн
500+71.87 грн
1000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.84 грн
10+85.66 грн
100+57.96 грн
500+43.26 грн
1000+39.68 грн
2000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.73 грн
10+90.61 грн
100+53.34 грн
500+42.39 грн
1000+39.05 грн
2000+36.26 грн
4000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.68 грн
1000+36.19 грн
5000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+79.85 грн
500+71.87 грн
1000+66.28 грн
10000+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6433XTMA1Infineon
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.34 грн
2000+48.48 грн
3000+46.51 грн
5000+41.58 грн
7000+40.36 грн
10000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
на замовлення 7914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.89 грн
10+110.65 грн
100+65.96 грн
500+52.50 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.64 грн
10+104.46 грн
100+71.15 грн
500+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.94 грн
2000+15.54 грн
3000+15.39 грн
5000+14.63 грн
7000+13.41 грн
10000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.46 грн
22+37.01 грн
50+30.26 грн
200+21.75 грн
500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.97 грн
2000+13.06 грн
3000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1930+16.73 грн
10000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 1930
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.65 грн
2000+14.48 грн
3000+14.34 грн
5000+13.64 грн
7000+12.50 грн
10000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.35 грн
10+35.04 грн
100+19.66 грн
500+14.99 грн
1000+13.46 грн
2000+11.02 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.26 грн
200+21.75 грн
500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+32.63 грн
100+21.02 грн
500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135L6906INF
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
Color: Blue
Wire Gauge: 14-18 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.36 грн
10+38.22 грн
25+37.13 грн
50+34.10 грн
100+33.37 грн
250+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP14-3KPanduitTerminals Butt Splice, premium nylon insulated, 18 - 14 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Color: Blue
Wire Gauge: 14-18 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP145PH09+
на замовлення 12618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149TECH PUBLICMOSFET N-CH 200V 1,0A SOT-223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 E6906Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 H6327InfineonКод виробника: BSP149H6327 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 H6327InfineonКод виробника: BSP149H6327XTSA1 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.47 грн
10+86.60 грн
100+51.94 грн
500+44.00 грн
1000+36.74 грн
2000+33.89 грн
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+42.63 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 757
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 L6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Udss, В = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+42.63 грн
1000+39.32 грн
10000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 757
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149E6327
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.56 грн
200+48.57 грн
500+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1
Код товару: 218518
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. в
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.20 грн
11+78.82 грн
50+65.56 грн
200+48.57 грн
500+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.96 грн
10+82.74 грн
25+81.91 грн
100+56.44 грн
250+51.73 грн
500+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1InfineonКод виробника: BSP149H6327XTSA1 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.81 грн
10+67.15 грн
100+44.73 грн
500+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+77.22 грн
169+76.45 грн
237+54.63 грн
250+52.15 грн
500+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.52 грн
10+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.92 грн
25+29.53 грн
26+28.05 грн
50+25.57 грн
100+24.16 грн
250+23.78 грн
500+23.39 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.47 грн
10+86.60 грн
100+51.94 грн
500+44.00 грн
1000+36.74 грн
2000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+74.38 грн
500+66.93 грн
1000+61.73 грн
10000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+27.56 грн
476+27.15 грн
483+26.73 грн
491+25.36 грн
499+23.12 грн
507+21.83 грн
1000+21.47 грн
3000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 469
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Case: SOT223
Technology: SIPMOS®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+74.38 грн
500+66.93 грн
1000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1
Код товару: 218935
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+74.38 грн
500+66.93 грн
1000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327
Код товару: 36908
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6327 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
667+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327InfineonMOSFET N-Ch 200V 0.66A, TO-261AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327HTSA1InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6327XTInfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 34268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+44.27 грн
1000+40.83 грн
10000+36.40 грн
100000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6906HTSA1 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 117202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
BSP15PHILIPS07+ SOT223
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP152PH09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP15AEQUATOR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP15ALFEQUATOR
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.06 грн
21+20.73 грн
100+13.34 грн
250+11.58 грн
500+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.09 грн
15+22.69 грн
100+15.27 грн
500+11.57 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.28 грн
12+27.34 грн
100+17.52 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 7000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.33 грн
2000+13.41 грн
3000+12.67 грн
5000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.36 грн
2000+14.36 грн
3000+13.58 грн
5000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2466
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP17PH09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP17InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170INFLNEON07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+22.54 грн
724+17.85 грн
728+17.74 грн
860+14.49 грн
1263+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 573
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.58 грн
500+18.88 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.56 грн
6000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.65 грн
31+24.15 грн
100+18.44 грн
250+16.97 грн
500+13.80 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.27 грн
40+20.82 грн
100+20.58 грн
500+18.88 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.55 грн
10+31.50 грн
100+20.27 грн
500+14.48 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.48 грн
6000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.58 грн
10+33.28 грн
100+18.69 грн
500+14.29 грн
1000+12.76 грн
3000+9.83 грн
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PINF09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.58 грн
10+49.17 грн
100+32.25 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Код товару: 115573
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.72 грн
10+48.99 грн
100+27.96 грн
500+22.17 грн
1000+18.83 грн
2000+17.78 грн
5000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P H6327Infineon
на замовлення 118998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP170PH6327XTSA1 BSP170P TBSP170p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.97 грн
2000+21.08 грн
3000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+37.80 грн
356+36.28 грн
500+34.97 грн
1000+32.62 грн
2500+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.72 грн
200+35.05 грн
500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
на замовлення 12247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.28 грн
100+30.33 грн
500+23.50 грн
1000+21.27 грн
2000+18.48 грн
5000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.15 грн
10+50.08 грн
100+32.85 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2160+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2160
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.04 грн
16+53.61 грн
50+45.72 грн
200+35.05 грн
500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
534+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 534
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.82 грн
10+46.16 грн
100+30.47 грн
200+27.11 грн
500+23.50 грн
1000+21.15 грн
2000+19.22 грн
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171
Код товару: 83584
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171INF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.31 грн
42000+16.74 грн
63000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.93 грн
37+20.15 грн
100+16.69 грн
250+15.29 грн
500+13.27 грн
1000+12.55 грн
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
10+33.76 грн
100+21.75 грн
500+15.58 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
687+18.81 грн
800+16.15 грн
808+15.99 грн
894+13.93 грн
1000+12.20 грн
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 687
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.58 грн
22+38.07 грн
100+25.14 грн
500+18.28 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.73 грн
10+35.76 грн
100+20.08 грн
500+15.34 грн
1000+13.81 грн
3000+9.83 грн
6000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PInfineonКод виробника: BSP171PH6327XTSA1 : BSP171P L6327 Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327
Код товару: 122767
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
Монтаж: SMD
у наявності 20 шт:
2 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.68 грн
500+24.25 грн
1000+18.55 грн
5000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.41 грн
10+52.76 грн
100+30.19 грн
500+23.36 грн
1000+21.13 грн
2000+18.34 грн
5000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.36 грн
10+49.70 грн
100+32.65 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.20 грн
2000+34.31 грн
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.02 грн
10+43.31 грн
100+30.63 грн
200+27.78 грн
250+26.86 грн
500+24.34 грн
1000+22.07 грн
2000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
16+50.84 грн
100+33.68 грн
500+24.25 грн
1000+18.55 грн
5000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.61 грн
2000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.82 грн
2000+20.94 грн
3000+19.93 грн
5000+17.63 грн
7000+17.00 грн
10000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.04 грн
2000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327InfineonSOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 41068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+49.87 грн
1000+45.99 грн
10000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP179H6327XTSA1 - BSP179 SIPMOS, SMALL SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP18-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 16-22 AWG CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Brazed Seam
Color: Red
Wire Gauge: 16-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP18-3KPanduitTerminals Butt Splice premium nylon insulated 22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP1818-12H08BeStar ElectronicsCOO= CHINA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19NexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19NXPКод виробника: BSP19GEGSMD SOT223, PBFree Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.19 грн
20+41.57 грн
100+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.68 грн
10+47.71 грн
50+30.40 грн
100+26.84 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 94873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+47.67 грн
1000+43.96 грн
10000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 677
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115NXPSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 350V .1A NPN BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1MOTSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1onsemiDescription: TRANS NPN 1A 350V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1 1A/400VOnsemiSOT223
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1/SP19AON
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19AT1GOn SemiconductorSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP20NXPSOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP20PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP202Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Brilliant Silver (Metallic)
Part Status: Active
Package Quantity: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP203Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Performance Red
Part Status: Active
Package Quantity: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP204PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP205PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP206PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP207Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Hugger Orange
Part Status: Active
Package Quantity: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP209Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Dark Emerald Green Metallic
Part Status: Active
Package Quantity: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.85 грн
2000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 1226
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+26.32 грн
10000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 1226
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.50 грн
10+51.44 грн
100+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaMOSFETs P-channel vertical D-MOS intermediate level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.00 грн
2000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.85 грн
15+56.37 грн
50+56.29 грн
200+32.78 грн
500+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+26.32 грн
10000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 1226
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP220,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225PHISOT223
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225
Код товару: 156034
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.52 грн
200+27.57 грн
500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+14.22 грн
500+11.04 грн
1000+8.47 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NXPMOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.82 грн
19+43.36 грн
50+36.52 грн
200+27.57 грн
500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.03 грн
10+41.54 грн
100+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaMOSFETs SOT223 250V .225A P-CH DMOS
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.34 грн
10+43.54 грн
100+24.61 грн
500+20.15 грн
5000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+15.97 грн
1025+12.60 грн
1400+9.22 грн
3000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 809
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225/S911,115NXP SemiconductorsBSP225/S911,115
на замовлення 313000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+29.48 грн
10000+26.28 грн
100000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225/S911115NXPDescription: NXP - BSP225/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 313000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1282+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 1282
В кошику  од. на суму  грн.
BSP225/S911115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 313000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1065+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1065
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,115NexperiaКод виробника: BSP230.115 P-MOSFET, unipolar, -300V, -210mA, 1.5W, SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NXPMOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP230,135 - Leistungs-MOSFET, D-MOS, p-Kanal, 300 V, 210 mA, 17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 210
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.94 грн
17+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230,135NexperiaMOSFET BSP230/SOT223/SC-73
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.10 грн
10+33.84 грн
100+21.34 грн
500+19.24 грн
1000+14.22 грн
4000+14.15 грн
8000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP230.115
Код товару: 130371
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250JGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSP250,115; BSP250,135; BSP250 JGSEMI TBSP250 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 994 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250 T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.79 грн
2000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NXPP-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.85 грн
2000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.96 грн
14+62.39 грн
100+42.62 грн
500+31.42 грн
1000+20.99 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.07 грн
10+52.34 грн
50+38.63 грн
100+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaMOSFETs BSP250/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.12 грн
2000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NXPP-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115
Код товару: 210021
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.62 грн
500+31.42 грн
1000+20.99 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NexperiaMOSFETs BSP250/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.03 грн
10+41.47 грн
100+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP250GEG
Код товару: 30597
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254A
Код товару: 79931
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 250 V
Id,A: 0,2 A
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 65/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+6.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254A,126NXPаналог BSS92, VP2410L (TO-92) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP254A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP255PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP280INFINEONTO-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.18 грн
10+50.19 грн
100+28.73 грн
500+23.29 грн
1000+19.73 грн
2000+18.48 грн
5000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 H6327Infineon
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295-E6327SIEMENSSOT89
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295E6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 551
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.75 грн
16+53.77 грн
50+45.23 грн
200+34.07 грн
500+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.28 грн
10+52.27 грн
100+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.37 грн
19+40.27 грн
25+39.87 грн
100+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.16 грн
10+50.19 грн
100+28.73 грн
500+22.94 грн
1000+19.73 грн
2000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.71 грн
2000+20.64 грн
4000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+37.43 грн
346+37.33 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.71 грн
1000+28.61 грн
2000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.31 грн
200+34.07 грн
500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.21 грн
2000+19.49 грн
4000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 308310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 831
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 308219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+33.61 грн
1017+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 960
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP295L6327HTSA1 - BSP295 SIPMOS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 308219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296INF09+
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 E6327INFINEON00+;
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 E6433Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 L6327INFINEONSMD 01+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327Infineon technologies
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
на замовлення 6756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 1094
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433INFINEON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 1124
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 1124
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 1124
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.69 грн
10+43.46 грн
100+24.61 грн
500+18.96 грн
1000+17.08 грн
2000+15.55 грн
5000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.22 грн
10+46.75 грн
100+26.63 грн
500+20.57 грн
1000+18.62 грн
2000+17.36 грн
4000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.77 грн
31+23.83 грн
100+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.34 грн
100+28.92 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.86 грн
200+18.35 грн
500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.01 грн
37+20.27 грн
100+17.63 грн
250+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.45 грн
2000+16.18 грн
3000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
на замовлення 31989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.96 грн
10+37.28 грн
100+21.54 грн
500+18.83 грн
1000+15.34 грн
2000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.90 грн
31+27.01 грн
50+24.57 грн
200+20.55 грн
500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.93 грн
8000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.95 грн
18+45.80 грн
100+32.29 грн
500+24.70 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.57 грн
10+46.59 грн
100+26.56 грн
500+20.57 грн
1000+18.62 грн
2000+16.94 грн
4000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.01 грн
10+48.12 грн
100+31.50 грн
500+22.86 грн
1000+20.70 грн
2000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.29 грн
500+24.70 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+74.17 грн
256+50.59 грн
260+49.82 грн
500+34.43 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297TECH PUBLICN-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223 BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC TBSP297 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297InfineonN-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.41 грн
10+52.44 грн
100+30.05 грн
500+24.26 грн
1000+20.64 грн
2000+19.31 грн
5000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 L6327Infineon
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297-L6327XTInfineonКод виробника: SP000089213 SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327Infineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.81 грн
2000+27.30 грн
5000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 42706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.60 грн
10+52.36 грн
100+29.98 грн
500+23.36 грн
1000+20.78 грн
2000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.59 грн
15+54.99 грн
50+46.69 грн
200+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+72.17 грн
192+67.44 грн
252+51.41 грн
267+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
10+54.01 грн
100+35.56 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.73 грн
2000+23.55 грн
5000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+62.81 грн
220+58.73 грн
288+44.96 грн
500+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1InfineonN-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.78 грн
25+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.44 грн
200+34.90 грн
500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.96 грн
2000+25.59 грн
5000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.56 грн
2000+25.23 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.03 грн
2000+22.92 грн
3000+21.82 грн
5000+19.33 грн
7000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298INF09+
на замовлення 32518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298 E6327Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 500
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+166.71 грн
500+158.11 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1InfineonMOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298L6327
Код товару: 56811
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299INF09+
на замовлення 36772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299 H6327InfineonTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP299H6327XUSA1 BSP299H TBSP299h
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327Infineon technologies
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-120Thomas Research ProductsDescription: SPD 150VAC/200VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-120-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 150VAC/200VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-208/240Thomas Research ProductsDescription: SPD 275VAC/350VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-208/240-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 275VAC/350VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1062.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-277Thomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-277-20KAThomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-277-20KA-TNThomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1778.21 грн
10+1379.32 грн
25+1296.01 грн
100+1130.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-277-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-347Thomas Research ProductsDescription: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-347-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-480Thomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-480-20KAThomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/745VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-480-20KA-TNThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 480V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3-480-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP30PHILIPS07+ SOT223
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP300 - BROADFIX FLAT PACKERS 300 PER TUB MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1927.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 190
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP304PHILIPS07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP304A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP308INFLNEON07+ SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31NexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+13.69 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2434+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 2434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2434+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 2434
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.51 грн
200+18.13 грн
500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.19 грн
22+37.99 грн
50+31.32 грн
200+22.96 грн
500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 60V PNP GP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1011+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1011
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.83 грн
10+35.35 грн
100+22.87 грн
500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31-FILTERBrady CorporationDescription: ASSY FILTER BSP31 RC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
For Use With/Related Products: Printers
Accessory Type: Filter
Specifications: Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31-QXNexperia BSP31-Q/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP31/PH1BPHI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315SiemensDescription: MOSFET P-CH 50V 1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Power Dissipation (Max): 1.8W
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315INF09+
на замовлення 33427 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315 E6327INFINEONSOT223
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315P
Код товару: 41790
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+36.86 грн
100+23.93 грн
500+17.24 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PINF09+
на замовлення 32430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P UMW TBSP315p UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P JGSEMI TBSP315p JGS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315P H6327InfineonP-CHMOS-FET1,17A60VSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.69 грн
10+43.14 грн
100+24.47 грн
500+19.31 грн
1000+16.39 грн
2000+15.41 грн
5000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.17A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315P-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PE6327InfineonP-CHMOS-FET1,17A60VSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+62.38 грн
306+42.25 грн
500+37.17 грн
2000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+39.73 грн
100+25.89 грн
500+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1InfineonMOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.50 грн
2000+17.33 грн
3000+17.06 грн
5000+16.39 грн
7000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.78 грн
200+30.36 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 1,17, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Qg, нКл = 7.8, Rds = 800 мОм, Ugs(th) = ±20, Р, Вт = 1.8, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: PG-SOT223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.58 грн
2000+18.38 грн
3000+18.12 грн
5000+17.40 грн
7000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.60 грн
2000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.73 грн
2000+16.42 грн
3000+15.60 грн
5000+13.77 грн
7000+13.26 грн
10000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.57 грн
10+40.89 грн
100+24.26 грн
500+18.69 грн
1000+12.69 грн
10000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.81 грн
2000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.63 грн
18+46.85 грн
50+39.78 грн
200+30.36 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327InfineonКод виробника: INFBSP315PL6327 SOT223 4/ P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor 60V, 0.8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327XTInfineon
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327 
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316INFLNEONSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PINF09+
на замовлення 38774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.34 грн
10+43.78 грн
100+24.82 грн
500+19.10 грн
1000+17.22 грн
2000+15.62 грн
5000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.74 грн
5000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.31 грн
2000+16.94 грн
3000+16.09 грн
5000+14.21 грн
7000+13.68 грн
10000+13.17 грн
25000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+28.22 грн
459+28.14 грн
500+28.05 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 458
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.46 грн
10+40.94 грн
100+26.69 грн
500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 40965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.86 грн
16+20.93 грн
100+13.53 грн
500+12.76 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PL6327INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317INFLNEONSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
на замовлення 16241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.60 грн
10+51.72 грн
100+29.42 грн
500+23.36 грн
1000+19.87 грн
2000+18.76 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+56.90 грн
250+54.62 грн
500+52.65 грн
1000+49.11 грн
2500+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -250V 430mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1InfineonMOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.67 грн
2000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.59 грн
100+31.23 грн
500+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
на замовлення 18728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.72 грн
10+50.27 грн
100+28.73 грн
500+22.31 грн
1000+20.15 грн
2000+16.52 грн
5000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+55.83 грн
264+49.05 грн
306+42.27 грн
320+39.00 грн
500+31.98 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.19 грн
2000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.29 грн
15+58.00 грн
100+38.15 грн
500+27.49 грн
1000+22.59 грн
5000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.81 грн
2000+20.07 грн
3000+19.10 грн
5000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327InfineonКод виробника: BSP317PL6327 P-кан. MOSFET 250V, 0.43A, 1.8Вт, 4.0Ом, SOT-223 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327
Код товару: 43505
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318INFLNEONSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
на замовлення 34252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.34 грн
10+52.04 грн
100+35.21 грн
500+29.91 грн
1000+24.33 грн
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S транзистор
Код товару: 57383
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S-L6327Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.08 грн
500+32.40 грн
1000+24.33 грн
5000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1
Код товару: 144529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.54 грн
15+57.67 грн
100+41.08 грн
500+32.40 грн
1000+24.33 грн
5000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим:
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327INFINEONTO126
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2256860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
945+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 945
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2256860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+22.67 грн
10000+20.22 грн
100000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 1424
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP318SL6327HTSA1 - BSP318 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2793000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1270+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 1270
В кошику  од. на суму  грн.
BSP319INF09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP319S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP32/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320INF09+
на замовлення 52604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SINF09+
на замовлення 32430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SInfineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6433Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+49.31 грн
100+29.21 грн
500+24.47 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S H6327Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 1424
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.59 грн
16+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
на замовлення 15501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+41.94 грн
100+27.47 грн
500+21.75 грн
1000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.58 грн
10+49.25 грн
100+32.38 грн
500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.79 грн
10+51.88 грн
100+30.82 грн
500+25.73 грн
1000+21.89 грн
2000+19.87 грн
4000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesBSP320SH6433XTMA1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+34.21 грн
1023+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 944
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1385+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 1385
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327Infineon technologies
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+28.72 грн
10000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 1124
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP320SL6327HTSA1 - BSP320 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1053+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 1053
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 1124
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1385+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 1385
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PINF09+
на замовлення 38774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.29 грн
500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal 900mOhm -100V 980mA
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.37 грн
10+58.05 грн
100+36.33 грн
500+36.19 грн
2000+34.03 грн
5000+24.89 грн
10000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.54 грн
10+63.15 грн
100+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 980mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.689ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.21 грн
13+67.60 грн
100+49.29 грн
500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 787
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322P H6327Infineon
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+37.86 грн
342+37.76 грн
500+36.90 грн
2000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.17 грн
12+35.75 грн
25+32.14 грн
100+28.37 грн
250+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.48 грн
50+41.00 грн
200+31.04 грн
500+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.79 грн
2000+24.20 грн
5000+22.02 грн
10000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
10+47.95 грн
25+41.62 грн
100+28.24 грн
250+25.38 грн
500+23.36 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.99 грн
10+48.79 грн
100+32.26 грн
500+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.68 грн
500+27.65 грн
1000+21.27 грн
5000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.98 грн
2000+26.10 грн
5000+23.75 грн
10000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.32 грн
23+33.20 грн
25+32.87 грн
100+26.62 грн
250+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324INF09+
на замовлення 36772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
985+32.78 грн
1068+30.24 грн
10000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 985
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.96 грн
2000+18.70 грн
3000+14.91 грн
5000+14.24 грн
7000+13.05 грн
10000+12.40 грн
25000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.39 грн
17+48.97 грн
50+41.24 грн
200+31.12 грн
500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.25 грн
2000+19.97 грн
3000+15.92 грн
5000+15.21 грн
7000+13.94 грн
10000+13.24 грн
25000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+76.41 грн
240+53.86 грн
500+50.85 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.64 грн
100+29.22 грн
500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.23 грн
10+43.30 грн
100+25.80 грн
500+20.78 грн
1000+14.99 грн
5000+14.36 грн
10000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.24 грн
200+31.12 грн
500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP324L6327 - BSP324 - 0.17A, 400V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 709
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33NexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33
Код товару: 41120
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33PhilipsГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.25 грн
23+35.95 грн
50+29.93 грн
200+22.21 грн
500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NXP SEMICONDUTORSTRANS PNP 80V 1000MA SOT223
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
27+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.72 грн
10+44.10 грн
50+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NXP/Nexperia/We-EnТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+37.01 грн
100+23.94 грн
500+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.93 грн
200+22.21 грн
500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115PhilipsГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33-QXNexperia BSP33-Q/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33TAonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP350INF09+
на замовлення 15258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3505D-PO-B3MICRONAS2002
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3505D-PP-A2MICRONAS93+ PDIP
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP365INF09+
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372
Код товару: 60054
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372INF09+
на замовлення 38774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.7A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 L6327InfineonMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372L6327INFINEON09+ SOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372N H6327InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP372 TBSP372
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.33 грн
10+48.03 грн
100+27.40 грн
500+21.75 грн
1000+18.41 грн
2000+17.43 грн
5000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 253000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.85 грн
2000+22.07 грн
5000+21.79 грн
10000+17.94 грн
25000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
16+51.57 грн
50+43.52 грн
200+32.86 грн
500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.