Продукція > BSP
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP 2 Way Brass 1'' Valve Код товару: 132833
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP 2 Way Stainless Steel 1'' Valve Код товару: 132834
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP 350 | Infineon Technologies | Smart High-Side Current Limit Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 50 E6327 | Infineon Technologies | Darlington Transistors NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 50 H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 50 H6327 | Infineon Technologies | Trans Darlington NPN 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 51 H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | Trans Darlington NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 52 H6327 | Infineon Technologies | Trans Darlington NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 52 H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 550 GEG | Infineon Technologies | Power N-Ch. 1.4W SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 60 H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 60 H6327 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 61 H6327 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 61 H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 62 E6327 Код товару: 162838
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP 62 E6327 | Infineon Technologies | Darlington Transistors PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 62 H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 62 H6327 | Infineon Technologies | Trans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP 75 | Infineon Technologies | Current Limit Switch Lo Side 1-OUT 0.7A 0.55Ohm Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-0 | Neutrik | Heat Shrink Cable Boots & End Caps COLORED BOOT NPC PLG NEUTRICN BLK | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-1 | Neutrik | Phone Connectors NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Brown | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-1 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: brown Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: brown кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-1 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: brown Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: brown | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-1 | BEP | MOUNTING PLATE FOR 701 SINGLE RECESSED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-1/2 | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories BSP-1/2 PP08 YEL002 MICRO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-1/4 | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories BSP-1/4 PP08 YEL002 MICRO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-104-B | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; black; 56mm; nickel plated; brass Type of connector: 4mm banana Connector: plug Current rating: 32A Colour: black Connector variant: insulated; with 4mm axial socket Mounting: on cable; soldered Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010 Overall length: 56mm Contact plating: nickel plated Insulator material: polyamide Material: brass кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-104-B | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; black; 56mm; nickel plated; brass Type of connector: 4mm banana Connector: plug Current rating: 32A Colour: black Connector variant: insulated; with 4mm axial socket Mounting: on cable; soldered Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010 Overall length: 56mm Contact plating: nickel plated Insulator material: polyamide Material: brass | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-104-B Код товару: 104292
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-104-BL Код товару: 104290
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-104-BL | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; nickel plated; brass Current rating: 32A Contact plating: nickel plated Material: brass Connector variant: insulated; with 4mm axial socket Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010 Overall length: 56mm Colour: blue Type of connector: 4mm banana Connector: plug Mounting: on cable; soldered Insulator material: polyamide кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-104-BL | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; nickel plated; brass Current rating: 32A Contact plating: nickel plated Material: brass Connector variant: insulated; with 4mm axial socket Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010 Overall length: 56mm Colour: blue Type of connector: 4mm banana Connector: plug Mounting: on cable; soldered Insulator material: polyamide | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-104-G | AXIOMET | BSP-104-G 4mm Banana Plugs | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-104-R Код товару: 104291
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-104-R | AXIOMET | BSP-104-R 4mm Banana Plugs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-11U-12MK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-11U-12PK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-11U-12SK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-11U-6MK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-11U-6PK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-11U-6SK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-15-350(BSP-15A) | INTERSIL | 08+; | на замовлення 6540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-15A | EQUATOR | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-15A | EQUATRO | O2 | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-15A | EQUATOR | BGA | на замовлення 13970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-15A LF Код товару: 37296
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-15A-LF | EQUATR | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-15A-LF | EQUATOR | 07+ SOP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-15A-LF | EQUATOR | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP-15A/100-0004-22 | AMD | QFP | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-196383-01 | Samtec Inc. | Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE Packaging: Tray Connector Usage: Backplane Connector Style: XCede® Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-196386-01 | Samtec Inc. | Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE Packaging: Tray Connector Usage: Backplane Connector Style: XCede® Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-2 | Mueller Electric | Mueller Electric NEUTRIC RED STRAIN RELIEF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-2 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: red Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: red кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-2 | Neutrik | Connector Accessories Boot Red Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-2 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: red Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: red | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-2 | Neutrik | Phone Connectors RED BOOT FOR C-SERIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-204-B | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; brass Mounting: on cable Rated voltage: 30V AC; 60V DC Insulator material: polyamide Contact plating: nickel plated Connector: plug Type of connector: 4mm banana Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover Overall length: 68.3mm Colour: black Material: brass Current rating: 32A | на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-204-B | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; brass Mounting: on cable Rated voltage: 30V AC; 60V DC Insulator material: polyamide Contact plating: nickel plated Connector: plug Type of connector: 4mm banana Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover Overall length: 68.3mm Colour: black Material: brass Current rating: 32A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-204-R | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; brass Mounting: on cable Rated voltage: 30V AC; 60V DC Insulator material: polyamide Contact plating: nickel plated Connector: plug Type of connector: 4mm banana Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover Overall length: 68.3mm Colour: red Material: brass Current rating: 32A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 881 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-204-R | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; brass Mounting: on cable Rated voltage: 30V AC; 60V DC Insulator material: polyamide Contact plating: nickel plated Connector: plug Type of connector: 4mm banana Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover Overall length: 68.3mm Colour: red Material: brass Current rating: 32A | на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-226769-01 | Samtec Inc. | Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets Mounting Type: Through Hole, Right Angle Pitch: 0.071" (1.80mm) Connector Usage: Daughtercard Connector Style: XCede® Part Status: Active | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-226769-01 | Samtec | High Speed/Modular Connectors XCede HD 1.80 mm High-Density Backplane Right-Angle Receptacle | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-22U-12MK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-12MK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-12PK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-12PK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-12SK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-12SK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-6MK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-6MK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-6PK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-6PK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-6SK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-22U-6SK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-3 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: red Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: red кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-3 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: red Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: red | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-3 | Neutrik | Heat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Orange | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-3/4 | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories BSP-3/4 PP08 YEL002 | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-3/8 | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories BSP-3/8 PP08 YEL002 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-4 | Neutrik | Phone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Yellow | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-4 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: yellow Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: yellow кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-4 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: yellow Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: yellow | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-44U-6MK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-44U-6MK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-44U-6PK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-44U-6PK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-44U-6SK | Belden Inc. | Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm) For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks Material: Metal, Steel Type: Security Door Ventilation: Non-Vented | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-44U-6SK | Belden Wire & Cable | Other Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-4PR-01-HDTF | Samtec Inc. | Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-5 | Neutrik | Phone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Green | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-5 | Neutrik | Cable Bush NP2/3C/RCS - green | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-6 | Neutrik USA Inc. | Connector Accessories Boot Blue Box | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-6 | Neutrik | Phone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Blue | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-7 | Neutrik | Phone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Violet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-7 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: violet Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: violet кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-7 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: violet Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: violet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-8 | Neutrik | Heat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Grey | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-8 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: grey Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: grey кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-8 | NEUTRIK | Category: Other Neutrik Connectors Description: Accessories: plug cover; neutriCON; Body: grey Connector series: neutriCON Type of connector accessories: plug cover Body colour: grey | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-9 | Neutrik | Heat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;White | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-9 | NEUTRIK | NTR-BSP-9 Other Neutrik Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-KITS | LeaderTech | Component Kits Board Shield Prototyping Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-NS4K | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; non-insulated; Max.wire diam: 2.5mm Type of connector: 4mm banana Connector: plug Connector variant: non-insulated Mounting: on cable Connection: soldered Max. wire diameter: 2.5mm Overall length: 30mm Contact plating: nickel plated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-NS4K | AXIOMET | Category: 4mm Banana Plugs Description: Connector: 4mm banana; plug; non-insulated; Max.wire diam: 2.5mm Type of connector: 4mm banana Connector: plug Connector variant: non-insulated Mounting: on cable Connection: soldered Max. wire diameter: 2.5mm Overall length: 30mm Contact plating: nickel plated | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-NS4L | AXIOMET | BSP-NS4L 4mm Banana Plugs | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP-PIR90-U | Carlo Gavazzi | Infrared Detectors SMART-DUPLINE OUTDOOR PIR SENSOR REV.2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP-PIR90A-U | Carlo Gavazzi | Infrared Detectors SMART-DUPLINE INDOOR PIR SENSOR REV.2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP00HJ | Balluff | Description: MEASURING RANGE=0...250 BAR, ACC | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP030,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.02 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 8.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 8.3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030,115 | Nexperia | MOSFETs TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP030/BSP030 | PHILIPS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP05 | Dremel | Description: BOSCH SCREW PILOT COUNTER SINK P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP090 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP090 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100 | PH | 09+ | на замовлення 34391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM PRIMER Packaging: Box Type: Paint Shop Primer Size: 32 oz Specifications: Gray Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100 | PHILIPS | SOT223 | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100 | PHI | 00+ | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 14720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP100,135 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V | на замовлення 23578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP100,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP100,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 23578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP100,135 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1010-05H03 LF | Bestar Technology | Audio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 2.5mA 5Vp-p 70dB 4700Hz to 5700Hz Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP103 | PH | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP103 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP103 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP105 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP105 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP105 | PH | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP106 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP106 | PH | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP106 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP107 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP107 | PH | 09+ | на замовлення 7018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP107 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP108 | PH | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP108 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP108 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP109 | PH | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP109 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP109 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP10TCQ | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 3A (AC/DC) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Type: Standard Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Actuator Type: Round, Plunger Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Color - Actuator/Cap: Black Actuator Marking: No Marking Part Status: Active Voltage Rating - AC: 120 V Voltage Rating - DC: 28 V | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP110 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP110 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP110 | PH | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP110,115 | Nexperia | MOSFET TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP110,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.52A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1109-05H1.7 | BeStar Technologies, Inc. | Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD Packaging: Box Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 4.1kHz Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm Current - Supply: 1mA Input Type: Peak-Peak Signal Operating Mode: Single Tone Voltage Range: 1 ~ 25V Technology: Piezo Termination: Solder Tabs Port Location: Top Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm) Part Status: Active Voltage - Rated: 5 V | на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP1109-05H1.7 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP120 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP120 | PH | 09+ | на замовлення 32430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP120 | BROADFIX | Description: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED tariffCode: 83024200 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP120 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP121 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP121 | PH | 09+ | на замовлення 18318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP121 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1212-03H03-01 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1212-03H03-06 | BeStar Technologies, Inc. | Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER Packaging: Box Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz Voltage - Input (Max): 3V p-p Termination: Solder Pads Part Status: Active Frequency: 4 kHz | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP1212-03H03-06 LF | Bestar Electric | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1212-03H03-06 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1212-03H03-06 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1212-05H2.5 LF | Bestar Technology | Audio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122 | PH | 09+ | на замовлення 5033 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±2V Case: SC73; SOT223 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±2V Case: SC73; SOT223 | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | MOSFETs BSP122/SOT223/SC-73 | на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP122T/R | PHILIPS | O6 TO223 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123 | INF | 09+ | на замовлення 8317 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP124 | PHI | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP124 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP124 | PH | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP124 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP124 | NXP | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP125 | INFINEON | 09+ SSOP16 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP125 | INFINEON | TO-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 | INF | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 Код товару: 25351
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 E6433 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125 H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125-L6327 | Infineon | N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125H6327 | Infineon technologies | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 | на замовлення 1072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 22139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6327 | Infineon technologies | на замовлення 1190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP125L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 343141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 343141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125L6433 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 211159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 130700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP125L6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6433HTMA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 22359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP126 | PHI | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP126 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP126 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP126 | PH | 09+ | на замовлення 4822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP126,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SC73; SOT223 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 65950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 | на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SC73; SOT223 | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 10520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP126,135 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126,135 | Nexperia | MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP126/S911,115 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP126/S911,115 | на замовлення 195767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP126/S911115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP126/S911115 | NXP | Description: NXP - BSP126/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 204767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP127 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP127 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP127 | PH | 09+ | на замовлення 16772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP128 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP128 | PH | 09+ | на замовлення 12430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP128 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129 Код товару: 100165
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP129 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129 H6327 | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP129 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 50mA SOT-223-3 | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129 L6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | на замовлення 8921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 Код товару: 139226
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 755 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 34420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129H6906XTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 34420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | на замовлення 9851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129L6327 | Infineon technologies | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP129L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129L6327 Код товару: 47967
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP129L6327 | INFINEON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 237893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 237893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6327HTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129L6906 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129L6906 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6906 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP129L6906 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP129L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130 | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130 Код товару: 41803
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP130 T/R | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130,115 | Nexperia | MOSFET TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP130,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP1313-05H2.5 LF | Bestar Technology | Audio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 5mA 5Vp-p 75dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 | INF | 09+ | на замовлення 36772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP135 Код товару: 73096
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP135 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 E6327 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 E6906 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 85705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135 H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 L6906 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135 L6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135-L6327 | NXP | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP135E | INFINEON | 09+ DIP-4 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 59000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 | на замовлення 1119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 50007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 Код товару: 119867
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 59023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 26655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 | на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 | на замовлення 8849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V | на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135IXTSA1 | Infineon Technologies | N-channel Depletion Mode Small Signal MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6433 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6906 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP135L6906 | INF | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP135L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit | Splice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP Features: Brazed Seam Packaging: Tape & Reel (TR) Color: Blue Wire Gauge: 14-18 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings Termination: Crimp Number of Wire Entries: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit | Splice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit | Splice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit | Terminals Butt Splice premium nylon insulated 18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP Features: Brazed Seam Packaging: Cut Tape (CT) Color: Blue Wire Gauge: 14-18 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings Termination: Crimp Number of Wire Entries: 2 | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP14-3K | Panduit | Splice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP145 | PH | 09+ | на замовлення 12618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP145 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP145 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 E6906 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3 | на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 68751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149 L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149 L6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149E6327 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon | Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon | Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3 | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149L6327 Код товару: 36908
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP149L6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6327 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149L6327 | BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal | на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP149L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149L6906 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 34268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 122202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149L6906HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6906HTSA1 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 117202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP149L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP149L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 122202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP15 | PHILIPS | 07+ SOT223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP15 | EQUATOR | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP15 | PHILIPS | SOT223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP152 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP152 | KEJIAXIN | 09+ | на замовлення 968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP152 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP152 | PH | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP15A | EQUATOR | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP15ALF | EQUATOR | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP16 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16 | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP16 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 300V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
BSP16T1 | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 30...120 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT223-4; TO261-4 | на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP16T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP | на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 30...120 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT223-4; TO261-4 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2258 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP17 | PH | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP17 | INFINEON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP17 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP17 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170 | INF | 09+ | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170P | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP170P | UMW | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170P | INF | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170P | INFINEON | 06+ SOT23-5 | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170P | UMW | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4 Код товару: 115573
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP170P E6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170P H6327 | Infineon | на замовлення 118998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP170P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 | на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PE6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PH6327 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP170PH6327XTSA1 BSP170P TBSP170p кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 | на замовлення 24306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 116000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP170PL6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171 | INF | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP171 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171 Код товару: 83584
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP171 | INF | 09+ | на замовлення 1994 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171P | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171P E6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171P H6327 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 1530 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171P H6327 Код товару: 122767
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,9 A Rds(on),Om: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 365/13 Монтаж: SMD | у наявності 59 шт: 26 шт - склад13 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BSP171P L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PE6327 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
BSP171PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PE6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PE6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 59000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 52478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | на замовлення 17096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 623 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 52478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 59000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP171PL6327 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP179H6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP179H6327XTSA1 - BSP179 SIPMOS, SMALL SIGNAL N-CHANNEL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 400V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 41068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP18-3K | Panduit | Terminals Butt Splice premium nylon insulated 22 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP18-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 16-22 AWG CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Brazed Seam Color: Red Wire Gauge: 16-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings Termination: Crimp Number of Wire Entries: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 2768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19 | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19 | PHILIPS | 08+ | на замовлення 344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 177963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223 Current gain: 40 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 400V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSP19/SOT223/SC-73 | на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19,115 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223 Current gain: 40 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 400V | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 350V .1A NPN BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19-QX | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP19AT1 | MOT | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19AT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 1A 350V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19AT1 1A/400V | Onsemi | SOT223 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19AT1/SP19A | ON | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP19AT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19AT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19AT1G | On Semiconductor | SOT223 | на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19AT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 800mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP19TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP20 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP20 | PHILIPS | SOT223 | на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP20 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP20,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 250V 0.1A 1200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP202 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Brilliant Silver (Metallic) Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP203 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Performance Red Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP204 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP204 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP204 | PH | 09+ | на замовлення 3418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP205 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP205 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP206 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP206 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP207 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Hugger Orange Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP209 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Dark Emerald Green Metallic Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220 | PH | 09+ | на замовлення 4018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220 | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220 T/R | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | на замовлення 4285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | MOSFETs BSP220/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225 | PHI | SOT223 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225 | PH | 09+ | на замовлення 4018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225 Код товару: 156034
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP225 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 411 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | MOSFETs BSP225/SOT223/SC-73 | на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP225/S911,115 | на замовлення 313000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225/S911115 | NXP | Description: NXP - BSP225/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 313000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP225/S911115 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 313000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP230 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230 | PH | 09+ | на замовлення 6546 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230 | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | MOSFET BSP230/SOT223/SC-73 | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP230,135 - Leistungs-MOSFET, D-MOS, p-Kanal, 300 V, 210 mA, 17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 210 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 17 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230,135 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP230.115 Код товару: 130371
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP230.115 | Nexperia Inc. | BSP230,115 P-MOSFET, unipolar, -300V, -210mA, 1.5W, SOT223 | на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250 T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 50998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V | на замовлення 21058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NXP | P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 385 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Type of transistor: P-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.65W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 Код товару: 210021
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Type of transistor: P-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.65W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | MOSFETs BSP250/SOT223/SC-73 | на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V | на замовлення 98900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia | MOSFETs BSP250/SOT223/SC-73 | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250,135 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP250GEG Код товару: 30597
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP254 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP254 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP254A Код товару: 79931
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 250 V Id,A: 0,2 A Rds(on),Om: 10 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 65/ Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
BSP254A,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP254A,126 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 250V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP255 | PH | 09+ | на замовлення 8618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP255 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP255 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP280 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP280 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP280 | INFINEON | TO-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | на замовлення 15867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295 H6327 | Infineon | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP295 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295 L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295-E6327 | SIEMENS | SOT89 | на замовлення 407 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | на замовлення 308310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 308219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP295L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP295L6327HTSA1 - BSP295 SIPMOS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 308219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296 | INF | 09+ | на замовлення 11018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP296 E6327 | INFINEON | 00+; | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 E6433 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 L6327 | INFINEON | SMD 01+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6327 | Infineon technologies | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP296L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6433 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP296L6433 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V | на замовлення 6756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | на замовлення 3562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296N H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | на замовлення 56050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 4724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP296NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297 | Infineon | N-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297 L6327 | Infineon | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP297 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297H6327 | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 13105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors | на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | на замовлення 90765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP297L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP297L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 | INF | 09+ | на замовлення 32518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 E6327 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 500 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP298L6327 Код товару: 56811
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP298L6327HUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP299 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 | INF | 09+ | на замовлення 36772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 H6327 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP299H6327XUSA1 BSP299H TBSP299h кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP299 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327 | Infineon technologies | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 400 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 400mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299L6327HUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | на замовлення 18062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP299L6327HUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299L6327HUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP299L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP3-120 | Thomas Research Products | Description: SPD 150VAC/200VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Part Status: Active Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-120-LC | Thomas Research Products | Description: SPD 150VAC/200VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-208/240 | Thomas Research Products | Description: SPD 275VAC/350VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP3-208/240-LC | Thomas Research Products | Description: SPD 275VAC/350VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Part Status: Active Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-277 | Thomas Research Products | Description: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-277-20KA | Thomas Research Products | Description: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: CE, cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-277-20KA-TN | Thomas Research Products | Description: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: CE, cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-277-LC | Thomas Research Products | Description: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-347 | Thomas Research Products | Description: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Part Status: Active Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP3-347-LC | Thomas Research Products | Description: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Part Status: Active Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP3-480 | Thomas Research Products | Description: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-480-20KA | Thomas Research Products | Description: SPD 550VAC/745VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: CE, cURus, UL Form: Module Only Part Status: Active Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP3-480-20KA-TN | Thomas Research Products | Description: LIGHTING SURGE PROTECTOR 480V Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: CE, cURus, UL Form: Module Only Part Status: Active Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP3-480-LC | Thomas Research Products | Description: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE Packaging: Box Mounting Type: Free Hanging Approval Agency: cURus, UL Form: Module Only Number of Poles: 3 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP30 | STM | SOT-223 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP30 | PHILIPS | 07+ SOT223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP30 | PHILIPS | SOT223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP30 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300 | BROADFIX | Description: BROADFIX - BSP300 - BROADFIX FLAT PACKERS 300 PER TUB MIXED tariffCode: 83024200 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP300 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 190 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SIPMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300H6327XUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300L6327HUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP300L6327HUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP304 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP304 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP304A,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP308 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP308 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP31 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP31 | STM | SOT-223 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP31 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP31 | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP31 T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSP31,115 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSP31,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|