
BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 13.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP316PH6327XTSA1 за ціною від 12.38 грн до 47.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Drain-source voltage: -100V Drain current: -680mA On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 42263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Drain-source voltage: -100V Drain current: -680mA On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 730 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |