Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP316PH6327XTSA1
BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP316PH6327XTSA1 за ціною від 11.92 грн до 66.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.23 грн
5000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.95 грн
2000+16.62 грн
3000+15.79 грн
5000+13.95 грн
7000+13.43 грн
10000+12.93 грн
25000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.72 грн
459+30.63 грн
500+30.53 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.46 грн
15+28.50 грн
50+24.79 грн
100+23.47 грн
125+23.06 грн
250+21.66 грн
500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.20 грн
10+40.17 грн
100+26.19 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 36190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.23 грн
5000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.95 грн
2000+16.62 грн
3000+15.79 грн
5000+13.95 грн
7000+13.43 грн
10000+12.93 грн
25000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
458+30.72 грн
459+30.63 грн
500+30.53 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.46 грн
15+28.50 грн
50+24.79 грн
100+23.47 грн
125+23.06 грн
250+21.66 грн
500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.20 грн
10+40.17 грн
100+26.19 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 36190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.