Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP316PH6327XTSA1
BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP316PH6327XTSA1 за ціною від 12.21 грн до 37.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.83 грн
5000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.16 грн
2000+15.05 грн
3000+14.30 грн
5000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
458+26.68 грн
459+26.60 грн
500+26.52 грн
1000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 458
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.61 грн
17+23.48 грн
25+21.42 грн
50+18.88 грн
100+18.72 грн
136+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.60 грн
13+26.42 грн
100+17.11 грн
500+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 41990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.90 грн
16+22.86 грн
100+14.78 грн
500+13.94 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.94 грн
11+29.26 грн
25+25.71 грн
50+22.66 грн
100+22.47 грн
136+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.