Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP316PH6327XTSA1
BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 680mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP316PH6327XTSA1 за ціною від 12.44 грн до 71.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.13 грн
5000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.44 грн
2000+17.93 грн
3000+17.03 грн
5000+15.04 грн
7000+14.48 грн
10000+13.94 грн
25000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
458+27.19 грн
459+27.11 грн
500+27.03 грн
1000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 458
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.40 грн
23+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.09 грн
14+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 40965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.17 грн
16+23.03 грн
100+14.89 грн
500+14.04 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
10+43.32 грн
100+28.24 грн
500+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002220474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1417infineon-bsp316p-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b603f52.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.