Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP316PH6327XTSA1
BSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+19.53 грн
2000+17.13 грн
3000+16.27 грн
5000+14.37 грн
7000+13.83 грн
10000+13.31 грн
25000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP316PH6327XTSA1 за ціною від 16.56 грн до 87.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.77 грн
15+29.35 грн
50+25.54 грн
100+24.18 грн
125+23.76 грн
250+22.31 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.39 грн
100+26.98 грн
500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 36190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.16 грн
10+53.17 грн
100+30.45 грн
500+23.89 грн
1000+21.00 грн
2000+18.47 грн
5000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+44.77 грн
15+29.35 грн
50+25.54 грн
100+24.18 грн
125+23.76 грн
250+22.31 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.19 грн
10+41.39 грн
100+26.98 грн
500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 Infineon_BSP316P_DS_v02_00_EN.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 36190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.16 грн
10+53.17 грн
100+30.45 грн
500+23.89 грн
1000+21.00 грн
2000+18.47 грн
5000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.