BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 22.39 грн |
| 2000+ | 19.69 грн |
| 3000+ | 18.74 грн |
| 5000+ | 16.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції BSP317PH6327XTSA1 за ціною від 21.08 грн до 78.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: -0.43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -250V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 On-state resistance: 4Ω |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3 |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 28.64 грн |
| 2000+ | 26.69 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 29.03 грн |
| 2000+ | 27.06 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 232+ | 60.77 грн |
| 264+ | 53.39 грн |
| 306+ | 46.02 грн |
| 320+ | 42.45 грн |
| 500+ | 34.81 грн |
| 1000+ | 30.81 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 76.97 грн |
| 10+ | 46.70 грн |
| 100+ | 30.65 грн |
| 500+ | 22.31 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 78.05 грн |
| 10+ | 45.63 грн |
| 100+ | 29.98 грн |
| 500+ | 23.22 грн |
| 1000+ | 21.08 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP317PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)