Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP317PH6327XTSA1
BSP317PH6327XTSA1

BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp317p_rev2.4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP317PH6327XTSA1 за ціною від 17.49 грн до 95.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.14 грн
2000+21.23 грн
3000+20.21 грн
5000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.70 грн
2000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.16 грн
2000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+53.79 грн
264+47.26 грн
306+40.73 грн
320+37.58 грн
500+30.82 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
10+42.44 грн
100+28.69 грн
250+24.78 грн
500+22.22 грн
1000+20.06 грн
2000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.60 грн
10+52.89 грн
100+34.43 грн
250+29.73 грн
500+26.66 грн
1000+24.07 грн
2000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.00 грн
10+50.35 грн
100+33.05 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP317P_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
на замовлення 18728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.73 грн
10+55.33 грн
100+31.61 грн
500+24.55 грн
1000+22.18 грн
2000+18.19 грн
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.54 грн
15+61.37 грн
100+40.37 грн
500+29.09 грн
1000+23.90 грн
5000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp317p_rev2.4.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.