BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 17.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP317PH6327XTSA1 за ціною від 18.08 грн до 98.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -430mA On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -430mA On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3 |
на замовлення 18728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP317PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |