Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSP318SH6327XTSA1

BSP318SH6327XTSA1

BSP318S.pdf
Код товару: 144529
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP318SH6327XTSA1 за ціною від 21.41 грн до 73.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon info-tbsp318s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon info-tbsp318s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.97 грн
500+32.32 грн
1000+24.27 грн
5000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.34 грн
15+57.52 грн
100+40.97 грн
500+32.32 грн
1000+24.27 грн
5000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP318S_Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим:
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSP318S_Rev2.4_.pdf MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP318S_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.