BSP318SH6327XTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.11 грн |
| 500+ | 32.43 грн |
| 1000+ | 24.35 грн |
| 5000+ | 23.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP318SH6327XTSA1 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSP318SH6327XTSA1 за ціною від 22.42 грн до 73.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 |
на замовлення 117649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 9577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,6 А; Ptot, Вт = 1,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА; SOT-223 |
на замовлення 307 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
BSP318SH6327XTSA1 Код товару: 144529
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSP318SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |