BSP320SH6327XTSA1

BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies


infineon-bsp320s-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP320SH6327XTSA1 за ціною від 17.58 грн до 82.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.27 грн
16+51.99 грн
50+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP320S_DataSheet_v02_05_EN-3360807.pdf MOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
на замовлення 15501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.91 грн
10+44.25 грн
100+28.99 грн
500+22.95 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+49.97 грн
100+32.85 грн
500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp320s-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp320s-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.