Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP320SH6433XTMA1
BSP320SH6433XTMA1

BSP320SH6433XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSP320S_DataSheet_v02_05_EN-240674.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.78 грн
10+54.47 грн
100+32.36 грн
500+27.02 грн
1000+22.99 грн
2000+20.87 грн
4000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP320SH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP320SH6433XTMA1 за ціною від 24.94 грн до 24.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP320SH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors BSP320SH6433XTMA1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1218+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 1218
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors SP001058772
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1 BSP320SH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.