BSP321PH6327XTSA1

BSP321PH6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp321p_rev1.05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP321PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 980mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.689ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSP321PH6327XTSA1 за ціною від 24.88 грн до 104.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP321P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b605d0e215a39 Description: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.89 грн
500+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP321P_DS_v01_06_en-1731228.pdf MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 900mOhm -100V 980mA
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.23 грн
10+61.11 грн
100+38.24 грн
500+38.09 грн
2000+35.81 грн
5000+26.20 грн
10000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP321P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b605d0e215a39 Description: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 980mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.689ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.18 грн
13+68.42 грн
100+49.89 грн
500+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP321P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b605d0e215a39 Description: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+63.91 грн
100+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP321P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b605d0e215a39 Description: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.