Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP322PH6327XTSA1
BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp322p_rev1.05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP322PH6327XTSA1 за ціною від 13.90 грн до 82.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.27 грн
2000+22.87 грн
5000+20.81 грн
10000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.34 грн
2000+24.67 грн
5000+22.45 грн
10000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.34 грн
23+31.38 грн
25+31.07 грн
100+25.17 грн
250+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.37 грн
500+29.04 грн
1000+22.34 грн
5000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+35.79 грн
342+35.69 грн
500+34.88 грн
2000+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.92 грн
50+43.06 грн
200+32.61 грн
500+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.55 грн
10+51.25 грн
100+33.89 грн
500+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP322P_DS_v01_06_en-1731240.pdf MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.80 грн
10+52.38 грн
25+45.47 грн
100+30.85 грн
250+27.72 грн
500+25.52 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c P-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.54 грн
36+31.04 грн
99+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.