BSP322PH6327XTSA1 Infineon
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP322PH6327XTSA1 Infineon
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSP322PH6327XTSA1 за ціною від 16.16 грн до 65.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP322PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP322PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP322PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 0.8Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 762 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP322PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3 |
на замовлення 14527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|