Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP322PH6327XTSA1
BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp322p_rev1.05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP322PH6327XTSA1 за ціною від 14.34 грн до 76.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.56 грн
2000+21.38 грн
5000+19.46 грн
10000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.27 грн
2000+22.87 грн
5000+20.81 грн
10000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.76 грн
23+27.20 грн
25+26.93 грн
100+21.81 грн
250+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.17 грн
500+28.05 грн
1000+21.58 грн
5000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+35.79 грн
342+35.69 грн
500+34.88 грн
2000+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.19 грн
50+41.59 грн
200+31.50 грн
500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+49.51 грн
100+32.73 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP322P_DS_v01_06_en-1731240.pdf MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
10+47.04 грн
100+27.29 грн
500+24.72 грн
1000+22.36 грн
2000+22.29 грн
5000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.55 грн
11+35.25 грн
25+31.73 грн
36+25.60 грн
99+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.26 грн
7+43.93 грн
25+38.07 грн
36+30.71 грн
99+29.06 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c P-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.