Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP322PH6327XTSA1
BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp322p_rev1.05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP322PH6327XTSA1 за ціною від 14.17 грн до 73.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.78 грн
2000+23.31 грн
5000+21.22 грн
10000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.89 грн
2000+25.15 грн
5000+22.88 грн
10000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.00 грн
23+31.99 грн
25+31.67 грн
100+25.65 грн
250+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.64 грн
500+29.25 грн
1000+22.50 грн
5000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+36.48 грн
342+36.38 грн
500+35.55 грн
2000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.30 грн
50+43.38 грн
200+32.85 грн
500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.95 грн
10+51.63 грн
100+34.14 грн
500+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.11 грн
12+34.05 грн
25+30.61 грн
100+27.02 грн
250+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP322P_DS_v01_06_en-1731240.pdf MOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+52.77 грн
25+45.81 грн
100+31.08 грн
250+27.93 грн
500+25.70 грн
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.34 грн
8+42.43 грн
25+36.73 грн
100+32.42 грн
250+29.16 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c P-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp322p_rev1.05.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.