BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP324H6327XTSA1 за ціною від 16.55 грн до 77.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3 |
на замовлення 3922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP324H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSP324H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |