BSP324H6327XTSA1

BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSP324H6327XTSA1 за ціною від 14.14 грн до 87.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP324_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.18 грн
10+43.27 грн
100+25.78 грн
500+20.76 грн
1000+14.98 грн
5000+14.35 грн
10000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.68 грн
10+44.61 грн
100+29.20 грн
500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.06 грн
10+44.45 грн
100+28.93 грн
200+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.79 грн
15+54.70 грн
50+45.28 грн
200+33.29 грн
500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.