BSP33,115

BSP33,115 Nexperia USA Inc.


BSP31_32_33.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP33,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSP33,115 за ціною від 11.63 грн до 65.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP33,115 BSP33,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.59 грн
200+23.44 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.09 грн
23+37.95 грн
50+31.59 грн
200+23.44 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 Виробник : Nexperia BSP31_32_33.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V PNP GP BJT
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.95 грн
10+38.29 грн
100+21.66 грн
500+16.76 грн
1000+14.77 грн
2000+12.93 грн
5000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP31_32_33.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.40 грн
10+39.06 грн
100+25.27 грн
500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 Виробник : NXP SEMICONDUTORS BSP31_32_33.pdf TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
18+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 Виробник : Nexperia 189bsp31_32_33.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 Виробник : NEXPERIA 189bsp31_32_33.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.