Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSP33,115
BSP33,115

BSP33,115 Nexperia USA Inc.

BSP31_32_33.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP33,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSP33,115 за ціною від 12.70 грн до 60.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP33,115 BSP33,115 Nexperia USA Inc. BSP31_32_33.pdf description Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.81 грн
10+36.32 грн
100+23.50 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 Nexperia BSP31_32_33.pdf description Bipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 BSP33,115 NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 NXP SEMICONDUTORS BSP31_32_33.pdf description TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
27+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 description BSP31_32_33.pdf
BSP33,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.81 грн
10+36.32 грн
100+23.50 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 description BSP31_32_33.pdf
BSP33,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 description PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP33,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 description PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP33,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115 description BSP31_32_33.pdf
Виробник: NXP SEMICONDUTORS
TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.