Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP372NH6327XTSA1
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.15 грн
2000+22.98 грн
3000+21.86 грн
5000+19.33 грн
7000+18.63 грн
10000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP372NH6327XTSA1 за ціною від 19.60 грн до 90.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.14 грн
2000+24.86 грн
3000+24.60 грн
5000+22.92 грн
7000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.14 грн
2000+24.86 грн
3000+24.60 грн
5000+22.92 грн
7000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 446000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.65 грн
2000+25.31 грн
3000+25.05 грн
5000+23.34 грн
7000+21.39 грн
10000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 446000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.72 грн
2000+25.36 грн
3000+25.11 грн
5000+23.39 грн
7000+21.44 грн
10000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.29 грн
11+40.93 грн
100+27.67 грн
200+24.79 грн
500+21.50 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.75 грн
13+60.63 грн
100+41.29 грн
500+32.19 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.75 грн
232+60.63 грн
341+41.29 грн
500+32.19 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.83 грн
10+54.78 грн
100+35.93 грн
500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP372N_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 9636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.14 грн
2000+24.86 грн
3000+24.60 грн
5000+22.92 грн
7000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.14 грн
2000+24.86 грн
3000+24.60 грн
5000+22.92 грн
7000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 446000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.65 грн
2000+25.31 грн
3000+25.05 грн
5000+23.34 грн
7000+21.39 грн
10000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 446000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.72 грн
2000+25.36 грн
3000+25.11 грн
5000+23.39 грн
7000+21.44 грн
10000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.29 грн
11+40.93 грн
100+27.67 грн
200+24.79 грн
500+21.50 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.75 грн
13+60.63 грн
100+41.29 грн
500+32.19 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 bsp372n_rev20.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+88.75 грн
232+60.63 грн
341+41.29 грн
500+32.19 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.83 грн
10+54.78 грн
100+35.93 грн
500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 Infineon_BSP372N_DS_v02_00_en.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 9636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.