Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1

BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f
Код товару: 118507
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP373NH6327XTSA1 за ціною від 12.98 грн до 74.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.23 грн
2000+14.66 грн
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.23 грн
200+28.42 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.86 грн
100+25.98 грн
500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP373N-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+41.92 грн
100+23.82 грн
500+18.50 грн
1000+16.36 грн
2000+13.32 грн
5000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.01 грн
11+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.90 грн
18+46.87 грн
50+46.23 грн
200+28.42 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.23 грн
2000+14.66 грн
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+46.23 грн
200+28.42 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.01 грн
10+39.86 грн
100+25.98 грн
500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 Infineon-BSP373N-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.90 грн
10+41.92 грн
100+23.82 грн
500+18.50 грн
1000+16.36 грн
2000+13.32 грн
5000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327-DTE.pdf
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.01 грн
11+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.90 грн
18+46.87 грн
50+46.23 грн
200+28.42 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.