Інші пропозиції BSP373NH6327XTSA1 за ціною від 13.07 грн до 80.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 4417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3 |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 100V, 1,8A, 1,8W, SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BSP373NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,8 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 9.3, Rds = 0,24 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 20 В,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |