Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP373NH6327XTSA1
BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP373NH6327XTSA1 за ціною від 12.22 грн до 110.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.51 грн
2000+18.51 грн
5000+12.80 грн
10000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.78 грн
2000+19.70 грн
5000+13.63 грн
10000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.17 грн
2000+21.43 грн
5000+17.37 грн
10000+16.13 грн
25000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.75 грн
2000+22.96 грн
5000+18.62 грн
10000+17.28 грн
25000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.14 грн
2000+21.26 грн
3000+20.82 грн
5000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
416+29.36 грн
435+28.06 грн
540+22.61 грн
1000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP373N-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.04 грн
10+45.71 грн
100+25.97 грн
500+20.17 грн
1000+17.84 грн
2000+14.53 грн
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.92 грн
10+45.17 грн
100+29.48 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.24 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.54 грн
18+49.23 грн
50+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.05 грн
10+40.78 грн
25+37.01 грн
33+28.39 грн
90+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.46 грн
6+50.81 грн
25+44.41 грн
33+34.06 грн
90+32.18 грн
5000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1
Код товару: 118507
Додати до обраних Обраний товар

BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.