Продукція > INFINEON > BSP51H6327XTSA1

BSP51H6327XTSA1 Infineon


BSP50-52.pdf
Виробник: Infineon
SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP51H6327XTSA1 Infineon

Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції BSP51H6327XTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP51H6327XTSA1 BSP51H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP50-52.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP51H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp50_bsp51_bsp52-3159909.pdf Darlington Transistors AF TRANSISTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.