BSP52E6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP52E6327HTSA1 - BSP52 - BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP52E6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції BSP52E6327HTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP52E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BSP52E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
товару немає в наявності |