Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BSP52T1G (біполярний транзистор NPN)

BSP52T1G (біполярний транзистор NPN)

Код товару: 25426
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP52T1G (біполярний транзистор NPN) за ціною від 10.62 грн до 65.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP52T1G BSP52T1G onsemi BSP52T1-D.PDF description Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.20 грн
2000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf description Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.30 грн
3000+18.15 грн
5000+17.97 грн
8000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf description Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G onsemi BSP52T1-D.PDF description Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 40979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.04 грн
11+28.51 грн
100+18.28 грн
500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf description Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.28 грн
19+40.43 грн
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf description Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G onsemi BSP52T1-D.PDF description Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 11571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.25W
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G ON SEMICONDUCTOR BSP52T1-D.PDF description TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
15+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description BSP52T1-D.PDF
BSP52T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+12.20 грн
2000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description bsp52t1-d.pdf
BSP52T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.30 грн
3000+18.15 грн
5000+17.97 грн
8000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description bsp52t1-d.pdf
BSP52T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description BSP52T1-D.PDF
BSP52T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 40979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.04 грн
11+28.51 грн
100+18.28 грн
500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description bsp52t1-d.pdf
BSP52T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.28 грн
19+40.43 грн
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description bsp52t1-d.pdf
BSP52T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description BSP52T1-D.PDF
BSP52T1G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 11571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP52T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP52T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.25W
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description BSP52T1-D.PDF
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.