BSP52T1G

BSP52T1G ON Semiconductor


bsp52t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10087 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP52T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSP52T1G за ціною від 8.73 грн до 48.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1040+11.77 грн
3000+11.33 грн
5000+11.27 грн
8000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 1040
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : onsemi bsp52t1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.14 грн
2000+11.44 грн
3000+10.82 грн
5000+9.50 грн
7000+9.11 грн
10000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.02 грн
250+21.42 грн
1000+12.26 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.17 грн
18+21.85 грн
83+11.24 грн
226+10.61 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.60 грн
11+27.23 грн
83+13.49 грн
226+12.73 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.68 грн
50+28.02 грн
250+21.42 грн
1000+12.26 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : onsemi bsp52t1-d.pdf Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 9642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.04 грн
13+28.38 грн
100+19.02 грн
500+14.71 грн
1000+10.49 грн
2000+9.43 грн
5000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : onsemi bsp52t1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.98 грн
11+28.93 грн
100+18.58 грн
500+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G Виробник : ON-Semicoductor bsp52t1-d.pdf darl.NPN 1A 80V 0.8W BSP52 TBSP52
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G Виробник : ON SEMICONDUCTOR bsp52t1-d.pdf TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G Виробник : ON-Semicoductor bsp52t1-d.pdf darl.NPN 1A 80V 0.8W BSP52 TBSP52
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 25426
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.