
BSP52T1G ON Semiconductor
на замовлення 10087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 9.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP52T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSP52T1G за ціною від 6.73 грн до 51.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 113000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 113000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 18353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 22934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP52T1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 25426
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
BSP52T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP52T1G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |