BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies


1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP613PH6327XTSA1 за ціною від 26.45 грн до 122.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.23 грн
2000+32.54 грн
3000+32.11 грн
5000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+35.77 грн
2000+30.92 грн
3000+30.23 грн
5000+28.84 грн
7000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.62 грн
10+53.59 грн
21+44.19 грн
50+42.05 грн
56+41.74 грн
100+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.75 грн
10+66.78 грн
21+53.02 грн
50+50.46 грн
56+50.09 грн
100+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+58.64 грн
100+43.05 грн
500+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002220598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.26 грн
13+65.86 грн
100+48.90 грн
500+40.14 грн
1000+31.40 грн
5000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP613P_DS_v02_08_EN-1226270.pdf MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.30 грн
10+49.37 грн
25+42.57 грн
100+35.59 грн
250+35.37 грн
500+33.17 грн
1000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.53 грн
173+70.76 грн
200+66.70 грн
500+50.23 грн
1000+44.70 грн
2000+41.73 грн
4000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1
Код товару: 135503
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.