Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1

Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
Код товару: 135503
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP613PH6327XTSA1 за ціною від 26.83 грн до 155.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.39 грн
2000+30.58 грн
3000+29.32 грн
5000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.07 грн
2000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.16 грн
2000+47.50 грн
5000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.60 грн
2000+47.88 грн
5000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.71 грн
12+64.34 грн
100+53.65 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.36 грн
10+53.73 грн
100+41.07 грн
500+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.13Ω
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.40 грн
10+69.48 грн
25+59.20 грн
100+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.66 грн
136+104.75 грн
194+73.01 грн
500+56.21 грн
1000+47.45 грн
2000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP613P_DS_v02_08_EN.pdf MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+32.39 грн
2000+30.58 грн
3000+29.32 грн
5000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+44.07 грн
2000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.16 грн
2000+47.50 грн
5000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.60 грн
2000+47.88 грн
5000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+75.71 грн
12+64.34 грн
100+53.65 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.36 грн
10+53.73 грн
100+41.07 грн
500+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.13Ω
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.40 грн
10+69.48 грн
25+59.20 грн
100+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+155.66 грн
136+104.75 грн
194+73.01 грн
500+56.21 грн
1000+47.45 грн
2000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 Infineon_BSP613P_DS_v02_08_EN.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.