BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 34.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP613PH6327XTSA1 за ціною від 29.48 грн до 151.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 |
на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP613PH6327XTSA1 Код товару: 135503
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |