BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 22.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSP613PH6327XTSA1 за ціною від 30.02 грн до 107.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V |
на замовлення 6109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSP613PH6327XTSA1 Код товару: 135503 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSP613PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |