BSP62,115 NEXPERIA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 10.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP62,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP62,115 - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSP62,115 за ціною від 11.09 грн до 50.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP62,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP62,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP62,115 - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP62,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP62,115 | Виробник : Nexperia |
Darlington Transistors BSP62/SOT223/SC-73 |
на замовлення 30573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP62,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP62,115 - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSP62,115 | Виробник : NXP |
Transistor PNP; 2000; 1,5W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BSP62,115; BSP62H6327XTSA1; BSP62.115; BSP62H6327TR; BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62H6327XTSA1; BSP62; BSP62,115 TBSP62 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BSP62,115 Код товару: 74177 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|