Продукція > Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові > BSP75N Infineon
BSP75N

BSP75N Infineon

Код товару: 24969
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Infineon
Корпус: SOT-223
Функціональний опис: Інтелектуальний 1-канальний ключ нижнього плеча
Напруга живлення, В: 60 В
Температурний діапазон, °С: -40...+150°С
Примітка: BSP75N, виробник Infineon
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP75N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP75N BSP75N DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N
BSP75N
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N bsp75n_ds_14.pdf
BSP75N
Виробник: Infineon Technologies
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N
BSP75N
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IR2110PBF
Код товару: 28037
3 Додати до обраних Обраний товар
IR2113SPBF.pdf
IR2110PBF
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-14
Напруга живлення Uc, В: 500 В
Вихідний струм Io ±, А: 2,0/2,0 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 52 шт
  • 22 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531PBF
Код товару: 23543
Додати до обраних Обраний товар
description ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,05 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Примітка: Автогенераторний драйвер напівмоста
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 26 шт
  • 2 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+85.00 грн
10+79.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.