Продукція > DIODES INC. > BSP75N
BSP75N

BSP75N DIODES INC.

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.25 грн
200+52.74 грн
500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP75N DIODES INC.

Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSP75N за ціною від 27.50 грн до 152.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP75N BSP75N Виробник : DIODES INC. Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.49 грн
10+95.95 грн
50+67.25 грн
200+52.74 грн
500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N Виробник : Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N
Код товару: 24969
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Infineon Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
Корпус: SOT-223
Функціональний опис: Power Distribution Smart Low Side 1 Ch
Напр.живлення: 60 V
Темп.діапазон: -40...+150°C
Примітка: Infineon_BSP75N-191426
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N Виробник : Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N Виробник : Infineon Technologies bsp75n_ds_14.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP75N_DS_v01_04_en-1731168.pdf Power Switch ICs - Power Distribution Smart Low Side 1 Ch 60 V 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N Виробник : Diodes Incorporated BSP75N-3213727.pdf Power Switch ICs - Power Distribution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.