Продукція > DIODES INCORPORATED > BSP75NQTA
BSP75NQTA

BSP75NQTA Diodes Incorporated

BSP75NQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 385mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-223
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.54 грн
10+72.57 грн
100+48.59 грн
500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP75NQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BSP75NQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSP75NQTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP75NQTA BSP75NQTA DIODES INC. DIOD-S-A0005045625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSP75NQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NQTA BSP75NQTA DIODES INC. DIOD-S-A0005045625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSP75NQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NQTA Diodes Incorporated BSP75NQ.pdf Power Switch ICs - Power Distribution Low Side IntelliFET
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NQTA DIOD-S-A0005045625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP75NQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75NQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NQTA DIOD-S-A0005045625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP75NQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75NQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 700 mA, 0.55 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NQTA BSP75NQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Power Switch ICs - Power Distribution Low Side IntelliFET
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.