Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP88E6327
BSP88E6327

BSP88E6327 Infineon Technologies

BSP88.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
на замовлення 194558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1484+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1484
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP88E6327 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP88E6327 за ціною від 17.04 грн до 17.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP88E6327 Виробник : Infineon Technologies BSP88.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 259952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1816+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 1816
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88E6327 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS BSP88.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP88E6327 - BSP88 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1429+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 1429
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88E6327 BSP88E6327 Виробник : Infineon Technologies BSP88.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88 E6327 BSP88 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP88_DS_v02_02_en-1731244.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.