Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP88E6327
BSP88E6327

BSP88E6327 Infineon Technologies

BSP88.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 194558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1484+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 1484
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP88E6327 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSP88E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP88E6327 BSP88E6327 Виробник : Infineon Technologies BSP88.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88 E6327 BSP88 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP88_DS_v02_02_en-1731244.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.