
BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 9.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP88H6327XTSA1 за ціною від 8.85 грн до 53.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 343 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 Код товару: 184872
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |