BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 8.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240, Dauer-Drainstrom Id: 350, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Verlustleistung: 1.8, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції BSP88H6327XTSA1 за ціною від 11.86 грн до 76.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 813 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V |
на замовлення 23558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240 Dauer-Drainstrom Id: 350 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 1.8 Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 10690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP88H6327XTSA1 TBSP88h кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 Код товару: 184872 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |