Продукція > NXP > BSP89,115

BSP89,115 NXP


BSP89.pdf
Виробник: NXP
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP89,115 NXP

Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: SOT-223, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSP89,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP89,115 BSP89,115 Nexperia USA Inc. BSP89.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89,115 Nexperia USA Inc. BSP89.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89,115 Nexperia BSP89.pdf MOSFETs BSP89/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89,115 NEXPERIA BSP89.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSP89/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89,115 BSP89.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.