Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP89H6327XTSA1
BSP89H6327XTSA1

BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+15.80 грн
2000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP89H6327XTSA1 за ціною від 14.93 грн до 58.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.17 грн
2000+22.85 грн
3000+21.67 грн
5000+19.61 грн
7000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.15 грн
18+24.43 грн
19+22.74 грн
50+18.58 грн
100+17.22 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.68 грн
10+35.05 грн
100+22.72 грн
500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 Infineon Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 bsp89_rev2.2.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+25.17 грн
2000+22.85 грн
3000+21.67 грн
5000+19.61 грн
7000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+30.15 грн
18+24.43 грн
19+22.74 грн
50+18.58 грн
100+17.22 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55
BSP89H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.68 грн
10+35.05 грн
100+22.72 грн
500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 bsp89_rev2.2.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55
Виробник: Infineon
N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.