Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP89H6327XTSA1
BSP89H6327XTSA1

BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp89_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP89H6327XTSA1 за ціною від 9.64 грн до 53.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.18 грн
2000+12.58 грн
3000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.25 грн
2000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.35 грн
2000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.75 грн
500+14.14 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.75 грн
15+20.64 грн
100+16.53 грн
500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.07 грн
15+26.53 грн
25+22.53 грн
47+19.28 грн
127+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.55 грн
31+27.03 грн
100+18.64 грн
500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP89_DS_v02_02_en-1731169.pdf MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
на замовлення 7047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.04 грн
13+27.54 грн
100+16.55 грн
500+14.08 грн
1000+12.84 грн
2000+12.55 грн
10000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.89 грн
10+33.06 грн
25+27.03 грн
47+23.13 грн
127+21.86 грн
500+21.23 грн
1000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+53.15 грн
580+21.00 грн
583+20.89 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.