Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP89H6327XTSA1
BSP89H6327XTSA1

BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp89_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP89H6327XTSA1 за ціною від 11.18 грн до 62.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
753+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.73 грн
2000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.52 грн
2000+15.29 грн
3000+15.13 грн
5000+13.53 грн
7000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.68 грн
2000+16.29 грн
3000+16.13 грн
5000+14.42 грн
7000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.74 грн
19+22.00 грн
22+19.08 грн
25+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
12+27.41 грн
13+22.90 грн
25+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP89_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.84 грн
15+24.37 грн
100+15.29 грн
1000+14.75 грн
2000+12.19 грн
5000+11.49 грн
25000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.94 грн
33+26.47 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.14 грн
10+37.12 грн
100+24.07 грн
500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.