BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 10.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP92PH6327XTSA1 за ціною від 11.57 грн до 59.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.26A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.26A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4 |
на замовлення 4126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |