Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP92PH6327XTSA1
BSP92PH6327XTSA1

BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+15.65 грн
2000+13.68 грн
3000+12.97 грн
5000+11.43 грн
7000+10.99 грн
10000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP92PH6327XTSA1 за ціною від 10.29 грн до 57.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP92P_DS_v02_07_en-1731257.pdf MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.64 грн
10+34.85 грн
100+19.88 грн
500+15.86 грн
1000+13.67 грн
2000+10.85 грн
5000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -260mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.82 грн
13+32.83 грн
100+21.13 грн
500+15.78 грн
1000+14.00 грн
2000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.74 грн
100+22.53 грн
500+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 Infineon_BSP92P_DS_v02_07_en-1731257.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.64 грн
10+34.85 грн
100+19.88 грн
500+15.86 грн
1000+13.67 грн
2000+10.85 грн
5000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -260mA
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+54.82 грн
13+32.83 грн
100+21.13 грн
500+15.78 грн
1000+14.00 грн
2000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.88 грн
10+34.74 грн
100+22.53 грн
500+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.