Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP92PH6327XTSA1
BSP92PH6327XTSA1

BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp92p_rev2.7.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

Інші пропозиції BSP92PH6327XTSA1 за ціною від 13.20 грн до 69.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.43 грн
2000+17.02 грн
3000+16.16 грн
5000+14.26 грн
7000+13.72 грн
10000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp92p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.88 грн
2000+15.29 грн
5000+15.13 грн
10000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp92p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.93 грн
2000+15.33 грн
5000+15.17 грн
10000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -260mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.27 грн
13+33.24 грн
100+21.94 грн
500+16.79 грн
1000+15.12 грн
2000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp92p_rev2.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.76 грн
349+40.73 грн
512+27.69 грн
1000+26.52 грн
2000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.36 грн
100+26.94 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP92P_DS_v02_07_en-1731257.pdf MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.43 грн
2000+17.02 грн
3000+16.16 грн
5000+14.26 грн
7000+13.72 грн
10000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 bsp92p_rev2.7.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.88 грн
2000+15.29 грн
5000+15.13 грн
10000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 bsp92p_rev2.7.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.93 грн
2000+15.33 грн
5000+15.17 грн
10000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -260mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.27 грн
13+33.24 грн
100+21.94 грн
500+16.79 грн
1000+15.12 грн
2000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 bsp92p_rev2.7.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
234+60.76 грн
349+40.73 грн
512+27.69 грн
1000+26.52 грн
2000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+41.36 грн
100+26.94 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 Infineon_BSP92P_DS_v02_07_en-1731257.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 INFNS19475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.