Продукція > NXP > BSR12,215

BSR12,215 NXP


BSR12_CNV.pdf
Виробник: NXP
NPN 15V 0.1A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR12,215 NXP

Description: TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 1V, Frequency - Transition: 1.5GHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 250 mW.

Інші пропозиції BSR12,215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSR12,215 Виробник : NXP/Nexperia/We-En BSR12_CNV.pdf PNP switching transistor ( Vcbo= -15V, Vceo=-15V, Icm=-200mA, SOT23)... Група товару: Транзистори Корпус: SOT23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR12,215 BSR12,215 Виробник : NXP USA Inc. BSR12_CNV.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.