BSR202NL6327HTSA1

BSR202NL6327HTSA1 Infineon Technologies


BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.87 грн
6000+ 11.76 грн
9000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR202NL6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.017 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.

Інші пропозиції BSR202NL6327HTSA1 за ціною від 12.11 грн до 44.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR202NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.56 грн
25+ 18.35 грн
60+ 13.32 грн
164+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR202NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.67 грн
25+ 22.86 грн
60+ 15.99 грн
164+ 15.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72 Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V
на замовлення 27195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.53 грн
10+ 31.4 грн
100+ 21.84 грн
500+ 16 грн
1000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.017 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.91 грн
20+ 37.89 грн
100+ 25.45 грн
500+ 18.62 грн
1000+ 12.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSR202NL6327HTSA1
Код товару: 142665
BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній